[发明专利]包括锁存器的页缓冲器和包括该页缓冲器的存储器件在审
申请号: | 202210749453.9 | 申请日: | 2022-06-28 |
公开(公告)号: | CN116013377A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 郑基镐;南尚完;金炯坤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C16/10;G11C16/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙尚白;倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 锁存器 缓冲器 存储 器件 | ||
1.一种存储器件,包括:
存储单元阵列,包括多个存储单元;
页缓冲器电路,包括页缓冲器,所述页缓冲器通过多条位线中的对应的位线连接到所述存储单元阵列,所述页缓冲器包括至少一个附加锁存器和N个数据锁存器,所述N个数据锁存器被配置为存储要编程的数据,其中,N是大于或等于2的整数;以及
控制逻辑电路,被配置为控制所述页缓冲器的设置,
其中,基于与所述页缓冲器相对应的第一设置,将在当前编程操作中编程的数据存储在所述N个数据锁存器中的一些数据锁存器和所述至少一个附加锁存器中,并且在完成所述当前编程操作之前,将要在下一编程操作中编程的数据存储在所述N个数据锁存器中的其他数据锁存器和所述至少一个附加锁存器中,以及
基于与所述页缓冲器相对应的第二设置,在所述当前编程操作和所述下一编程操作中不将外部提供的数据存储在所述至少一个附加锁存器中。
2.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述多个存储单元中的每一个存储单元包括三级单元,所述三级单元被配置为存储3比特数据,并且所述N个数据锁存器包括三个数据锁存器,并且
将在所述当前编程操作中编程的3比特数据和要在所述下一编程操作中编程的3比特数据中的1比特数据存储在所述三个数据锁存器和所述至少一个附加锁存器中。
3.根据权利要求2所述的存储器件,其中,当完成对在所述当前编程操作中编程的3比特数据中的1比特数据的编程时,在完成所述当前编程操作之前,将要在所述下一编程操作中编程的3比特数据中的另外1比特数据提供给所述页缓冲器并且存储在所述页缓冲器中。
4.根据权利要求3所述的存储器件,其中,当完成对在所述当前编程操作中编程的3比特数据中的所述另外1比特数据的编程时,在完成所述当前编程操作之前,将要在所述下一编程操作中编程的3比特数据中的剩余的1比特数据提供给所述页缓冲器并且存储在所述页缓冲器中。
5.根据权利要求1所述的存储器件,还包括就绪/忙碌信号生成电路,所述就绪/忙碌信号生成电路被配置为输出就绪/忙碌信号,
其中,所述就绪/忙碌信号生成电路被配置为紧接在所述当前编程操作开始之后输出表示就绪状态的所述就绪/忙碌信号,然后所述存储器件接收要在所述下一编程操作中编程的数据。
6.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述页缓冲器还包括:与数据读出相关联的读出锁存器;以及强制锁存器,被配置为调整所述对应的位线的预充电电压电平。
7.根据权利要求6所述的存储器件,其中,基于所述第二设置,通过读出节点将所述至少一个附加锁存器连接到所述对应的位线以读出存储在所述多个存储单元中的对应的存储单元中的数据。
8.根据权利要求6所述的存储器件,其中,基于所述第二设置,所述至少一个附加锁存器被配置为存储与调整所述对应的位线的预充电电压电平相关联的值,并且
所述对应的位线的预充电电压电平基于存储在所述强制锁存器中的值和存储在所述至少一个附加锁存器中的值而变化。
9.根据权利要求6所述的存储器件,其中,基于所述第二设置,所述至少一个附加锁存器被配置为存储表示在所述当前编程操作中编程的数据的编程的通过或失败的信息,并且
将在所述当前编程操作中编程的数据保存在所述页缓冲器中,直到完成所述当前编程操作为止。
10.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述至少一个附加锁存器包括多个附加锁存器,并且
将在所述当前编程操作中编程的数据和要在所述下一编程操作中编程的数据中的两比特数据或更多比特数据一起存储在所述页缓冲器中。
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