[发明专利]包括锁存器的页缓冲器和包括该页缓冲器的存储器件

说明书

一种存储器件，包括：页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括连接到多条位线中的每条位线的页缓冲器。页缓冲器包括：至少一个附加锁存器和N个数据锁存器；以及控制逻辑电路，控制页缓冲器的设置。基于第一设置，将在当前编程操作中编程的数据存储在N个数据锁存器中的一些数据锁存器和至少一个附加锁存器中，并且在完成当前编程操作之前，将要在下一编程操作中编程的数据存储在N个数据锁存器中的其他数据锁存器和至少一个附加锁存器中。基于第二设置，在当前编程操作和下一编程操作中不将外部提供的数据存储在至少一个附加锁存器中。

相关申请的交叉引用

本公开要求于2021年10月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0141923的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及存储器件，更具体地涉及包括多个锁存器的页缓冲器和包括这样的页缓冲器的存储器件。

背景技术

近来，随着信息通信装置的多功能增加，需要提高存储器件的存储容量和集成度。为了将数据存储在存储单元中或从存储单元输出数据，存储器件可以包括连接到存储单元的位线的页缓冲器，并且页缓冲器可以包括一个或多个锁存器。

例如，页缓冲器可以包括多个锁存器，所述多个锁存器包括用于临时存储记录数据的锁存器和用于读出数据的锁存器。然而，在提高存储器件的各种功能方面可能存在限制，因为没有高效地使用页缓冲器中包括的多个锁存器。

发明内容

本发明构思的实施例提供了包括具有可变功能的附加锁存器的页缓冲器以及包括该页缓冲器的存储器件，由此基于存储器件的设置提高存储器件的各种功能的性能。

本发明构思的实施例提供了一种存储器件，包括：存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个存储单元；页缓冲器电路，包括页缓冲器，所述页缓冲器通过多条位线中的对应的位线连接到存储单元阵列，页缓冲器包括至少一个附加锁存器和N个数据锁存器，所述N个数据锁存器存储要编程的数据，其中，N是大于或等于2的整数；以及控制逻辑电路，控制页缓冲器的设置。基于与页缓冲器相对应的第一设置，将在当前编程操作中编程的数据存储在N个数据锁存器中的一些数据锁存器和至少一个附加锁存器中，并且在完成当前编程操作之前，将要在下一编程操作中编程的数据存储在N个数据锁存器中的其他数据锁存器和至少一个附加锁存器中。基于与页缓冲器相对应的第二设置，在当前编程操作和下一编程操作中不将外部提供的数据存储在至少一个附加锁存器中。

本发明构思的实施例还提供了一种存储器件的页缓冲器，该页缓冲器包括：读出锁存器，通过读出节点连接到位线并且读出存储单元中存储的数据；强制锁存器，连接到位线并且调整位线的预充电电压电平；第一数据锁存器和第二数据锁存器，各自存储要编程的数据；高速缓存锁存器，从外部存储控制器接收数据并且将接收的数据传输到第一数据锁存器或第二数据锁存器；以及附加锁存器，所述附加锁存器基于存储器件的第一设置存储要编程的数据，并且基于存储器件的第二设置存储用于调整位线的预充电电压电平的信息或表示编程数据的编程的通过或失败的信息。

本发明构思的实施例又提供了一种存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；页缓冲器电路，包括页缓冲器，所述页缓冲器通过多条位线中的对应的位线连接到存储单元阵列，页缓冲器包括至少一个附加锁存器和N个数据锁存器，所述N个数据锁存器存储要编程的数据，其中，N是大于或等于2的整数；控制逻辑电路，控制对存储单元阵列的编程操作和读取操作；高速缓存操作电路，控制电连接关系，使得至少一个附加锁存器作为临时存储数据的高速缓存操作；读出/强制操作电路，控制电连接关系，使得至少一个附加锁存器读出存储单元中存储的数据或调整对应的位线的预充电电压电平；以及编程数据保存电路，控制电连接关系，使得至少一个附加锁存器存储编程通过/失败信息并且执行当前编程的数据被保存在页缓冲器中，直到完成当前编程操作为止。控制逻辑电路基于设置信息输出用于控制高速缓存操作电路、读出/强制操作电路和编程数据保存电路中的至少一个的控制信号。

附图说明