[发明专利]显示器件和发光器件在审

专利信息
申请号: 202210751261.1 申请日: 2022-06-28
公开(公告)号: CN115623807A 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 金泰亨;郑希在;张银珠;朴秀珍;元裕镐 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H10K50/115 分类号: H10K50/115;H10K50/125;H10K59/35;H10K85/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王华芹;金拟粲
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示 器件 发光
【权利要求书】:

1.电致发光显示器件,其包括蓝色像素,其中所述电致发光显示器件包括:

具有彼此相对的表面的第一电极和第二电极;以及

设置在所述第一电极和所述第二电极之间的光发射层,

其中所述光发射层包括设置在所述蓝色像素中且包含多个纳米结构体的蓝色光发射层,其中所述多个纳米结构体不包括镉,其中所述蓝色光发射层配置成在所述第一电极和所述第二电极之间施加偏压时呈现出大于或等于445纳米且小于或等于480纳米的发射峰波长(λ最大),

其中在从第一电压到比所述第一电压大至少5伏的第二电压的偏压变化期间,所述蓝色光发射层的发射峰波长(λ最大)配置成呈现出比在所述第一电压下的发射峰波长和在所述第二电压下的发射峰波长小的第一发射峰波长,

其中

在所述偏压变化期间,所述发射峰波长(λ最大)的变化宽度小于或等于4纳米。

2.如权利要求1所述的电致发光显示器件,其中在所述第一和第二电压下的发射峰波长之间的差小于4nm。

3.如权利要求1所述的电致发光显示器件,其进一步包括电荷辅助层,所述电荷辅助层包括包含有机化合物的空穴辅助层、和/或包含金属氧化物纳米颗粒的电子辅助层。

4.如权利要求1所述的电致发光显示器件,其中

所述多个纳米结构体包括第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体,所述第一半导体纳米晶体包括锌、硒、和碲,所述第二半导体纳米晶体包括包含锌、硒、和硫的锌硫属化物且不同于所述第一半导体纳米晶体,并且

在所述多个纳米结构体中,

碲对硒的摩尔比大于或等于0.0021:1且小于或等于0.05:1,和

硫对硒的摩尔比大于或等于0.1:1且小于或等于1:1。

5.如权利要求1所述的电致发光显示器件,其中

所述多个纳米结构体包括第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体,所述第一半导体纳米晶体包括锌、硒、和碲,所述第二半导体纳米晶体包括包含锌、硒、和硫的锌硫属化物且不同于所述第一半导体纳米晶体,并且

在所述多个纳米结构体中,

碲对硒的摩尔比大于或等于0.001:1且小于或等于0.05:1,和

硫对锌的摩尔比大于或等于0.23:1且小于或等于0.40:1。

6.如权利要求1所述的电致发光显示器件,其中所述蓝色光发射层在电压A下具有第一发射峰波长(第一λ最大)的最小值,其中电压A大于所述第一电压且小于或等于所述第二电压。

7.如权利要求1所述的电致发光显示器件,其中在所述蓝色光发射层中,在所述第一电压下的发射峰波长和在所述第二电压下的发射峰波长之间的差小于或等于3纳米。

8.如权利要求1所述的电致发光显示器件,其中在所述第二电压下的发射峰的半宽度小于在所述第一电压下的发射峰的半宽度。

9.如权利要求8所述的电致发光显示器件,其中在所述第二电压下的发射峰的半宽度和在所述第一电压下的发射峰的半宽度之间的差大于或等于1纳米。

10.如权利要求1所述的电致发光显示器件,其中所述发射峰波长(λ最大)的变化宽度大于或等于1纳米。

11.如权利要求1所述的电致发光显示器件,其中所述电致发光显示器件进一步包括红色像素、绿色像素、或红色像素和绿色像素,和其中所述光发射层包括设置在所述红色像素中且包含多个发射红色光的纳米结构体的红色光发射层、和/或设置在所述绿色像素中且包含多个发射绿色光的纳米结构体的绿色光发射层。

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