[发明专利]显示器件和发光器件

说明书

公开电致发光显示器件和发光器件，其包括蓝色光发射层。所述电致发光显示器件和所述发光器件包括：第一电极、第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的光发射层。光发射层包括包含多个纳米结构体的蓝色光发射层，所述多个纳米结构体不包括镉。在施加偏压时，蓝色光发射层配置成发射在大于或等于约445nm且小于或等于约480nm的范围内的发射峰波长(λ_最大)的光。在从第一电压到比第一电压大至少约5伏的第二电压的偏压变化期间，蓝色光发射层的发射峰波长(λ_最大)可呈现出比在第一电压下的发射峰波长和在第二电压下的发射峰波长小的第一发射峰波长，并且在所述偏压变化期间，发射峰波长(λ_最大)的变化宽度小于或等于约4纳米。

对相关申请的交叉引用

本申请要求2021年6月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0084197的优先权以及由其产生的所有权益，将其内容全部通过引用引入本文中。

技术领域

本公开内容涉及显示器件(装置)(例如，电致发光显示器件)和发光器件。

背景技术

纳米结构体例如量子点(下文中，称为量子点(QD))是具有纳米级尺寸的颗粒的形式的半导体材料，并且可呈现出量子限域效应且可呈现出发光。当例如通过光激发或通过施加电压，在激发态下的电子从导带跃迁到价带时，可产生量子点的光发射。通过控制量子点的尺寸和/或组成，量子点可被构造成发射期望波长区域的光。

包括纳米结构体例如量子点的电致发光器件可用于显示器件中。光发射可通过施加电压而引起并且由包括在器件中的光发射层中的被激发的电荷的辐射性复合导致。

发明内容

实施方式提供发光(例如，光致发光或电致发光)显示器件，例如，通过向纳米结构体(例如，量子点)施加电压，所述发光显示器件发射光。

实施方式提供显示器件(例如，量子点发光器件(QD-LED)显示器)，其在蓝色像素以及任选的红色像素和/或绿色像素中包括纳米结构体(例如，量子点)作为光发射材料。

实施方式提供发光器件，其包括所述纳米结构体。

在实施方式中，电致发光显示器件包括蓝色像素，其中所述器件包括：具有彼此相对的表面(即，各自具有面对另一个的表面)的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的光发射层，所述光发射层包括设置在所述蓝色像素中且包含多个纳米结构体的蓝色光发射层，其中所述多个纳米结构体不包括镉，

其中所述蓝色光发射层配置成在所述第一电极和所述第二电极之间施加偏压时呈现出大于或等于约445纳米且小于或等于约480纳米的发射峰波长(λ_最大)，

其中在从第一电压到比所述第一电压大至少约5伏、例如大约6伏的第二电压的偏压变化期间，所述蓝色光发射层的发射峰波长(λ_最大)配置成呈现出比在所述第一电压下的发射峰波长(在第一电压下的λ_最大)和在所述第二电压下的发射峰波长(在第二电压下的λ_最大)小的第一(例如，最低)发射峰波长(第一λ_最大)，并且

在所述偏压变化期间，所述发射峰波长(λ_最大)的变化宽度小于或等于约4纳米。所述发射峰波长的变化宽度可大于0纳米。

在实施方式中，在所述第一和第二电压下的发射峰波长之间的差(即，在第一电压下的λ_最大和在第二电压下的λ_最大之间的差)可为小于或等于约4nm(例如，约3nm、约2nm、约1nm、或0nm)。