[发明专利]一种无蜡抛光吸附垫正压热贴合工艺在审
申请号: | 202210752125.4 | 申请日: | 2022-06-28 |
公开(公告)号: | CN115008341A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 黄军慧 | 申请(专利权)人: | 东莞市盈鑫半导体材料有限公司 |
主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B37/30;H01L21/683 |
代理公司: | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人: | 田野 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抛光 吸附 正压 贴合 工艺 | ||
1.一种无蜡抛光吸附垫正压热贴合工艺,其特征是:包括以下步骤:
S1,将待抛光砷化镓晶片置于第一陶瓷盘中的吸附垫模具中,所述吸附垫模具设置有若干个用于容置抛光砷化镓晶片的容置孔;
S2,完成步骤S1的抛光砷化镓晶片,由所述第一陶瓷盘向第二陶瓷盘靠近输送,直至第一陶瓷盘和第二陶瓷盘对称放置;
S3,对称放置的第一陶瓷盘和第二陶瓷盘,由第二陶瓷盘向第一陶瓷盘表面挤压贴合,构成待抛光砷化镓晶片抛光的密闭空间;
S4,在密闭空间内的待抛光砷化镓晶片,通过在第一、第二陶瓷盘的挤压下,同时提升密闭空间内的温度、挤压强度以及挤压时间,对砷化镓晶片进行无蜡抛光。
2.根据权利要求1所述的一种无蜡抛光吸附垫正压热贴合工艺,其特征是:所述第一陶瓷盘或者所述第二陶瓷盘的盘平平整度为3~5um。
3.根据权利要求1所述的一种无蜡抛光吸附垫正压热贴合工艺,其特征是:所述温度为30~200℃。
4.根据权利要求1所述的一种无蜡抛光吸附垫正压热贴合工艺,其特征是:所述挤压强度为200~1000kg。
5.根据权利要求1所述的一种无蜡抛光吸附垫正压热贴合工艺,其特征是:所述挤压时间5~10min。
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