[发明专利]一种无蜡抛光吸附垫正压热贴合工艺

说明书

本申请涉及半导体加工技术领域，更具体地说，它涉及一种无蜡抛光吸附垫正压热贴合工艺制程，首先将待抛光砷化镓晶片置于第一陶瓷盘中的吸附垫模具中，所述吸附垫模具设置有若干个用于容置抛光砷化镓晶片的容置孔；之后由所述第一陶瓷盘向第二陶瓷盘靠近输送，直至第一陶瓷盘和第二陶瓷盘对称放置；再由第二陶瓷盘向第一陶瓷盘表面挤压贴合，构成待抛光砷化镓晶片抛光的密闭空间；在密闭空间内的待抛光砷化镓晶片，通过在第一、第二陶瓷盘的挤压下，同时提升密闭空间内的温度、挤压强度以及挤压时间，对砷化镓晶片进行无蜡抛光，依次摒弃了传统的上蜡抛光工艺方式，不仅简化了上蜡、粗抛以及精抛等多个工艺手续，同时提升了晶片的良品率。

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，更具体地说，它涉及一种无蜡抛光吸附垫正压热贴合工艺。

背景技术

目前半导体行业对中对超薄晶片的加工都是采用上蜡抛光工艺：具体的抛光工艺流程如下：

(1)用人工或上蜡贴片装置借助石蜡将待抛光的晶片粘贴在陶瓷盘上；(2) 在腔室内真空环境下借助吸蜡纸将多余的蜡吸附；(3)用酒精清洁晶片表面的蜡；(4)在专用的抛光机下用CMP方法粗抛，精抛；(4)将抛光完成的晶片在甩干桶内甩干；(5)并在专用电炉上加热陶瓷盘，使蜡熔化后，再用不锈钢铲具取下晶片；(6)晶片化蜡及清洗；该抛光工艺的缺陷；

(1)晶片薄，导致在腔室真空条件下吸蜡过程中极易出现碎片；

(2)上蜡、粗抛需经过多次作业，碎片率高；

(3)在专用电炉上加热陶瓷盘，再取出过程中，受高温影响，很难立即取出，降低生产效率。

发明内容

针对上述现有技术的不足，本申请的目的是提供一种无蜡抛光吸附垫正压热贴合工艺，具有操作简单，简化工艺以及提升良品率的优点。

本申请的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种无蜡抛光吸附垫正压热贴合工艺，包括以下步骤：S1，将待抛光砷化镓晶片置于第一陶瓷盘中的吸附垫模具中，所述吸附垫模具设置有若干个用于容置抛光砷化镓晶片的容置孔；

S2，完成步骤S1的抛光砷化镓晶片，由所述第一陶瓷盘向第二陶瓷盘靠近输送，直至第一陶瓷盘和第二陶瓷盘对称放置；

S3，对称放置的第一陶瓷盘和第二陶瓷盘，由第二陶瓷盘向第一陶瓷盘表面挤压贴合，构成待抛光砷化镓晶片抛光的密闭空间；

S4，在密闭空间内的待抛光砷化镓晶片，通过在第一、第二陶瓷盘的挤压下，同时提升密闭空间内的温度、挤压强度以及挤压时间，对砷化镓晶片进行无蜡抛光。

优选的，所述第一陶瓷盘或者所述第二陶瓷盘的盘平平整度为3～5um。

优选的，所述温度为30～200℃。

优选的，所述挤压强度为200～1000kg。

优选的，所述挤压时间5～10min。

综上所述，本申请具有的有益效果：首先将待抛光砷化镓晶片置于第一陶瓷盘中的吸附垫模具中，所述吸附垫模具设置有若干个用于容置抛光砷化镓晶片的容置孔；完成步骤S1的抛光砷化镓晶片，由所述第一陶瓷盘向靠近第二陶瓷盘输送，直至第一陶瓷盘和第二陶瓷盘对称放置；再由第二陶瓷盘向第一陶瓷盘表面挤压贴合，构成待抛光砷化镓晶片抛光的密闭空间；在密闭空间内的待抛光砷化镓晶片，通过在第一、第二陶瓷盘的挤压下，同时提升密闭空间内的温度、挤压强度以及挤压时间，对砷化镓晶片进行无蜡抛光，以此摒弃了传统的上蜡抛光工艺方式，不仅简化了上蜡、粗抛以及精抛等多个工艺手续，同时提升了晶片的良品率。

具体实施方式

为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。