[发明专利]基板处理方法在审
申请号: | 202210752222.3 | 申请日: | 2022-06-29 |
公开(公告)号: | CN115705999A | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 白承大;金成烨;金进愿;孙在焕 | 申请(专利权)人: | 杰宜斯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 车美灵 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
1.一种基板处理方法,其特征在于,包括如下的步骤:
将晶圆部放置在卡盘台;
在所述卡盘台装载所述晶圆部;
喷射臂模块向所述晶圆部喷射第一处理液而对所述晶圆部进行处理;
所述喷射臂模块向所述晶圆部喷射第二处理液而对所述晶圆部进行处理;
在所述卡盘台干燥所述晶圆部;以及
从所述卡盘台卸载所述晶圆部。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
将所述晶圆部放置在所述卡盘台的步骤包括如下的步骤:
传输装置把持从第二移送模块传递的所述晶圆部;以及
随着所述传输装置的下降,将所述晶圆部放置在所述卡盘台。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述卡盘台装载所述晶圆部的步骤包括如下的步骤:
随着所述卡盘台的卡盘模块被驱动,晶圆限制部限制所述晶圆部的卡环部;以及
随着移动模块使所述卡盘台的真空卡盘部移动,向半径方向拉动所述晶圆部,以扩大所述晶圆部的多个晶粒的间隔。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其特征在于,
从所述卡盘台卸载所述晶圆部的步骤包括如下的步骤:
随着移动模块使所述卡盘台的真空卡盘部回到原位置,所述晶圆部恢复原状态;以及
随着所述卡盘台的卡盘模块被驱动,晶圆限制部解除对所述晶圆部的卡环部的限制。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
所述喷射臂模块向所述晶圆部喷射第一处理液而对所述晶圆部进行处理的步骤包括如下的步骤:
所述喷射臂模块向所述晶圆部的上侧移动;以及
所述喷射臂模块在预定角度范围内摆动并向所述晶圆部喷射第一处理液。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法,其特征在于,
所述第一处理液为去离子水。
7.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述喷射臂模块向所述晶圆部喷射第二处理液而对所述晶圆部进行处理的步骤中,所述喷射臂模块在预定角度范围内摆动并向所述晶圆部喷射第二处理液。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于,
所述第二处理液为去离子水与氮的混合物。
9.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述卡盘台干燥所述晶圆部的步骤包括如下的步骤:
所述喷射臂模块向所述卡盘台的外侧移动;以及
随着所述卡盘台进行旋转,干燥所述晶圆部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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