[发明专利]基板处理方法

说明书

本发明公开了一种基板处理方法。本发明的基板处理方法的特征在于，包括如下的步骤：将晶圆部放置在卡盘台；在卡盘台装载晶圆部；喷射臂模块向晶圆部喷射第一处理液而对晶圆部进行处理；喷射臂模块向晶圆部喷射第二处理液而对晶圆部进行处理；在卡盘台干燥晶圆部；以及从卡盘台卸载晶圆部。

技术领域

本发明涉及基板处理方法，更详细地，涉及能够缩减晶圆部的处理时间，并且能够提高晶圆部的处理及清洗性能的基板处理方法。

背景技术

通常，在半导体工序中进行用于蚀刻晶圆部的蚀刻工序、用于将晶圆部切割成多个晶粒的分离工序、用于清洗晶圆部的清洗工序等。基板处理装置用于晶圆部的蚀刻工序或清洗工序。

基板处理装置设置为可旋转，并且由在上部放置晶圆部的旋转台、以环形结合到旋转台的边缘区域的密封圈等构成。在旋转台旋转的状态下，向放置于旋转台的晶圆部供给处理液。

本发明的背景技术公开在韩国公开专利公报第10-2016-0122067号(2016年10月21日公开，发明名称：晶圆部处理装置及用于晶圆部处理装置的密封圈)。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，本发明的目的在于，提供一种基板处理方法，能够缩减晶圆部的处理时间，并且能够提高晶圆部的处理及清洗性能。

本发明的基板处理方法的特征在于，包括如下的步骤：将晶圆部放置在卡盘台；在所述卡盘台装载所述晶圆部；喷射臂模块向所述晶圆部喷射第一处理液而对所述晶圆部进行处理；所述喷射臂模块向所述晶圆部喷射第二处理液而对所述晶圆部进行处理；在所述卡盘台干燥所述晶圆部；以及从所述卡盘台卸载所述晶圆部。

将所述晶圆部放置在所述卡盘台的步骤可包括如下的步骤：传输装置把持从第二移送模块传递的所述晶圆部；以及随着所述传输装置的下降，将所述晶圆部放置在所述卡盘台。

在所述卡盘台装载所述晶圆部的步骤可包括如下的步骤：随着所述卡盘台的卡盘模块被驱动，晶圆限制部限制所述晶圆部的卡环部；以及随着移动模块使所述卡盘台的真空卡盘部移动，向半径方向拉动所述晶圆部，以扩大所述晶圆部的多个晶粒的间隔。

从所述卡盘台卸载所述晶圆部的步骤可包括如下的步骤：随着移动模块使所述卡盘台的真空卡盘部回到原位置，所述晶圆部恢复原状态；以及随着所述卡盘台的卡盘模块被驱动，晶圆限制部解除对所述晶圆部的卡环部的限制。

所述喷射臂模块向所述晶圆部喷射第一处理液而对所述晶圆部进行处理的步骤可包括如下的步骤：所述喷射臂模块向所述晶圆部的上侧移动；以及所述喷射臂模块在预定角度范围内摆动并向所述晶圆部喷射第一处理液。

所述第一处理液可以为去离子水(DI water)。

在所述喷射臂模块向所述晶圆部喷射第二处理液而对所述晶圆部进行处理的步骤中，所述喷射臂模块可在预定角度范围内摆动并向所述晶圆部喷射第二处理液。

所述第二清洗液可以为去离子水与氮(N₂)的混合物。

在所述卡盘台中干燥所述晶圆部的步骤可包括如下的步骤：所述喷射臂模块向所述卡盘台的外侧移动；以及随着所述卡盘台进行旋转，干燥所述晶圆部。

根据本发明，即使在狭小的空间内，传输装置也可以从第二移送模块接收晶圆部并放置在卡盘台，并且可以从卡盘台排出完成处理的晶圆部。

并且，根据本发明，随着倾斜(tilting)装置进行旋转，可以轻松将环形盖部限制在卡盘台装置及从卡盘台装置解除环形盖部。并且，卡盘台装置的卡盘模块可以迅速限制及解除环形盖部。因此，可以缩减晶圆部的处理及清洗时间。

并且，根据本发明，喷射臂模块和喷射吸入臂模块对晶圆部进行处理，因此，可以利用多个种类的处理液或清洗液对晶圆部进行处理。因此，可通过多种方式进行晶圆部的处理工序。