[发明专利]一种晶体管、制备方法及存储器

权利要求书

1.一种晶体管，所述晶体管包括：

半导体衬底、位于所述半导体衬底上的硅支柱以及设置在硅支柱周围的栅极；

所述栅极接近硅支柱的侧面为第一表面，远离硅支柱的侧面为第二表面，所述第一表面的长度小于第二表面的长度；所述栅极的第一表面的长度小于硅支柱上的沟道区长度。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，在所述硅支柱的上端进行离子掺杂构成漏区，所述漏区与沟道区的一端相连，所述沟道区的另一端与硅支柱上的源区相连。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述硅支柱经过多次离子掺杂，硅支柱上的离子掺杂浓度梯度呈高斯掺杂分布，自上而下逐渐降低。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中，多个所述硅支柱均布在半导体衬底上，所述硅支柱为进行圆角钝化后的硅支柱。

5.根据权利要求1－4任一所述的晶体管，其中，所述半导体衬底覆盖有第一隔离层，所述第一隔离层上设置有第二隔离层，所述第二隔离层的一端插入第一隔离层内，所述第二隔离层处于相邻两列硅支柱之间。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述硅支柱外围包覆有介质环；

所述介质环包括第一介质环和第二介质环，所示第一介质环的一端插入第一隔离层内，所述第一介质环的另一端临近栅极；所述第二介质环的一端临近栅极，第二介质环的另一端与硅支柱的顶部在同一水平面。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其中，所述栅极靠近硅支柱外表面的一侧具有凸起，所述凸起位于第一介质环和第二介质环之间。

8.根据权利要求6所述的晶体管，其中，所述第一介质环与栅极之间、第二介质环与栅极之间以及硅支柱与栅极之间设置有一层栅极氧化层；所述栅极氧化层的一端与第一隔离层贴合，另一端与硅支柱的顶部齐平。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其中，所述栅极上设置有钝化层；所述钝化层的一端与栅极贴合，另一端与硅支柱顶部齐平；所述钝化层将栅极氧化层的一端包覆，所述钝化层设置在相邻两个第二隔离层之间，且每列多个所述硅支柱之间的钝化层相连。

10.一种晶体管的制备方法，所述制备方法包括：

对半导体衬底上的硅支柱进行离子掺杂；经掺杂后，在硅支柱上形成沟道区、源区和漏区；

在沟道区的外围沉积栅极；所述栅极接近硅支柱的侧面为第一表面，远离硅支柱的侧面为第二表面，所述第一表面的长度小于第二表面的长度；所述栅极的第一表面的长度小于硅支柱上的沟道区长度。

11.根据权利要求10所述的晶体管的制备方法，其中，所述硅支柱经过多次离子掺杂，硅支柱上的离子掺杂浓度梯度呈高斯掺杂分布，自上而下逐渐降低。

12.根据权利要求10所述的晶体管的制备方法，其中，所述在沟道区的外围沉积栅极之前，所述方法还包括：

在半导体衬底上沉积氧化层和沉积介质环；所述介质环包覆在硅支柱外围；

在半导体衬底上的氧化层和介质环上沉积栅极氧化层；所述栅极氧化层将介质环包覆。