[发明专利]一种遮蔽板及化学气相沉积装置

说明书

本申请公开了一种遮蔽板及化学气相沉积装置；遮蔽板包括第一遮蔽段、第二遮蔽段及过渡段，第一遮蔽段和第二遮蔽段垂直设置，以及过渡段分别与第一遮蔽段和第二遮蔽段的端部连接，其中，第一遮蔽段、第二遮蔽段和过渡段合围成一开口，第一遮蔽段包括远离遮蔽板的中心的第一侧边，第二遮蔽段包括远离遮蔽板的中心的第二侧边，过渡段包括连接第一侧边和第二侧边的第三侧边，第三侧边与第一侧边和第二侧边呈夹角设置；本申请通过将遮蔽板的第三侧边与第一侧边和第二侧边呈夹角设置，使过渡段的面积减少，从而增大遮蔽板的过渡段与腔室的间隙，增大过渡段处的气流量，从而提高过渡段处的清洁气体的密度，从而加快自清洁的速率，缩小自清洁的时间。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种遮蔽板及化学气相沉积装置。

背景技术

化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，简称为CVD)设备广泛用于半导体工业中，用于沉积各种薄膜，如氮化硅薄膜、非晶硅薄膜等。

化学气相沉积装置包括工艺腔室，工艺腔室内设置有上电极和下电极，上电极接电源，下电极接地，待加工的工件位于下电极上。工作时，工艺气体(如SiH4、NH3等)进入工艺室，在电场的作用下被电离、离解或激发成要沉积的薄膜成分，然后在待加工的基板上沉积成薄膜，最终工艺副产物被抽走，完成对基板的镀膜。在化学气相沉积装置的腔室的侧壁、上电极和下电极以及遮蔽板上会积累副产物，副产物积累过多，随时可能会发生剥离，落入基板上，影响工件的成膜品质。因此，需要定期对腔室进行自清洁。通常采用氟化氮特种气体对腔室进行清洁，该气体价格昂贵，需要尽量减少该气体的使用量。同时，自清洁时间过长严重制约生产节拍。因此，如何在保证清洁效果的前提下，缩短自清洁时间是本领域的技术人员亟需解决的技术问题之一。

发明内容

本申请提供一种遮蔽板及化学气相沉积装置，以缩短化学气相沉积装置的自清洁时间。

为解决上述方案，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种遮蔽板，应用于化学气相沉积装置，所述遮蔽板包括：

第一遮蔽段、第二遮蔽段及过渡段，所述第一遮蔽段和所述第二遮蔽段垂直设置，以及所述过渡段分别与所述第一遮蔽段和所述第二遮蔽段的端部连接；

其中，所述第一遮蔽段、所述第二遮蔽段和所述过渡段合围成一开口，所述第一遮蔽段包括远离所述遮蔽板的中心的第一侧边，所述第二遮蔽段包括远离所述遮蔽板的中心的第二侧边，所述过渡段包括连接所述第一侧边和所述第二侧边的第三侧边，所述第三侧边与所述第一侧边和所述第二侧边呈夹角设置。

在本申请的遮蔽板中，所述第三侧边为直线，所述第三侧边与所述第一侧边朝向所述遮蔽板的中心的第一夹角大于或等于所述第三侧边与所述第二侧边朝向所述遮蔽板的中心的第二夹角。

在本申请的遮蔽板中，所述第三侧边为弧形，所述弧形的圆心与所述遮蔽板的几何中心重合。

在本申请的遮蔽板中，所述开口的边分别与所述第一侧边和所述第二侧边平行，在所述开口的角上设置有圆孔，所述圆孔的圆心与所述开口的顶点重合。

本申请还提供一种化学气相沉积装置，包括上述遮蔽板，所述化学气相沉积装置还包括：

主体部，包括腔室；

下电极，设置于所述腔室内，所述下电极用于承载待成膜的目标基板；

其中，所述遮蔽板设置于所述下电极上，所述开口用于容纳所述目标基板，所述遮蔽板与所述腔室的内壁设置有间隙。

在本申请的化学气相沉积装置中，在垂直于所述下电极的上表面的方向上，所述遮蔽板的厚度小于或等于所述目标基板的厚度。

在本申请的化学气相沉积装置中，在所述下电极的俯视图方向上，所述下电极的外轮廓位于所述遮蔽板的内侧。