[发明专利]光掩模缺陷定位方法及消除方法

权利要求书

1.一种光掩模缺陷定位方法，其特征在于，包括：

获取目标光掩模中刻蚀掩模层中电子图像，所述目标光掩模包括透明衬底层和若干个设置在所述透明衬底层上的刻蚀掩模层，所述刻蚀掩膜层存在缺陷；

根据所述电子图像获取所述电子图像中的图像缺陷位置；

根据所述图像缺陷位置确定所述刻蚀掩模层中的实际缺陷位置，根据所述实际缺陷位置在所述透明衬底层表面进行刻蚀沉积处理以形成若干个定位点。

2.根据权利要求1所述的光掩模缺陷定位方法，其特征在于，所述根据所述实际缺陷位置在所述透明衬底层表面进行刻蚀沉积处理以形成若干个定位点，包括：

根据所述刻蚀掩模层上的所述实际缺陷位置，在所述实际缺陷位置两侧的所述透明衬底层上确定定位点位置；

根据所述定位点位置，采用电子束对所述定位点位置进行刻蚀预处理；

在刻蚀预处理后的所述定位点位置沉积一层定位薄膜，反复多次沉积，直至所述定位薄膜厚度达到预设厚度；

采用所述电子束对所述定位薄膜进行刻蚀后处理以形成预设尺寸的所述定位点。

3.根据权利要求2所述的光掩模缺陷定位方法，其特征在于，所述定位点的形状为矩形，所述缺陷位置线宽的长度为A，所述定位点的长所在直线与所述线宽所在直线垂直，所述定位点的宽所在直线与所述线宽所在直线平行。

4.根据权利要求3所述的光掩模缺陷定位方法，其特征在于，所述定位点的长的尺寸为0.05A至0.3A，所述定位点的宽的尺寸为0.02A至0.1A。

5.根据权利要求2所述的光掩模缺陷定位方法，其特征在于，根据所述实际缺陷位置在所述透明衬底层表面进行刻蚀沉积处理以形成若干个定位点的过程中，还包括对所述定位点位置进行光晕抑制，所述光晕抑制的次数为1至6次，所述光晕抑制像素量为1至3000像素。

6.一种光掩模缺陷消除方法，其特征在于，包括：

采用权利要求1至5任一项所述的光掩模缺陷定位方法在目标光掩模的透明衬底层上形成若干个定位点；

根据所述定位点对所述实际缺陷位置进行定位后，采用离子束修补设备对所述实际缺陷位置进行修补；

通过所述离子束修补设备去除所述定位点。

7.根据权利要求6所述的光掩模缺陷消除方法，其特征在于，所述通过所述离子束修补设备去除所述定位点，包括：

在所述实际缺陷位置所在的所述刻蚀掩模层刻蚀形成定位孔洞；

通过所述离子束修补设备将所述定位孔洞作为基准对所述定位点进行定位，并采用所述离子束修补设备中的离子束对准所述定位点，以去除所述定位点。

8.根据权利要求7所述的光掩模缺陷消除方法，其特征在于，在采用所述离子束修补设备配合所述定位孔洞对所述定位点进行定位，以去除所述定位点的过程中，对所述定位点进行三次扫描，每一次扫描的时间均不相同。

9.根据权利要求8所述的光掩模缺陷消除方法，其特征在于，所述三次扫描分别为第一次扫描、第二次扫描和第三次扫描，所述第一次扫描的时间为1至500秒，所述第二次扫描的时间为1至2000秒，所述第三次扫描的时间为1至1000秒，且所述第一次扫描剂量为1％至50％，所述第二次扫描剂量为1％至100％。

10.根据权利要求6至9任一项所述的光掩模缺陷消除方法，其特征在于，所述采用离子束修补设备对所述缺陷位置进行修补，包括：

根据所述定位点确定所述刻蚀掩模层中的所述实际缺陷位置对应的缺陷区域；

对所述缺陷区域进行刻蚀处理以去除缺陷，并对所述缺陷区域进行清洗；

对所述缺陷区域沉积修补材料以修补所述缺陷区域。

11.根据权利要求6所述的光掩模缺陷消除方法，其特征在于，所述光掩模缺陷消除方法还包括：对修补后的所述光掩模进行空间成像，根据空间成像结果确定所述光掩模缺陷是否消除。