[发明专利]光掩模缺陷定位方法及消除方法在审
申请号: | 202210758520.3 | 申请日: | 2022-06-30 |
公开(公告)号: | CN115047710A | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 张健澄 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/00;G03F1/80 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 缺陷 定位 方法 消除 | ||
本发明提供了一种光掩模缺陷定位方法及消除方法。所述光掩模缺陷定位方法包括获取目标光掩模中刻蚀掩模层中电子图像,所述目标光掩模包括透明衬底层和若干个设置在所述透明衬底层上的刻蚀掩模层,所述刻蚀掩膜层存在缺陷;根据所述电子图像获取所述电子图像中的图像缺陷位置;根据所述图像缺陷位置确定所述刻蚀掩模层中的实际缺陷位置,根据所述实际缺陷位置在所述透明衬底层表面进行刻蚀沉积处理以形成若干个定位点。本发明能够提高光掩膜缺陷修补的准确率和效率,降低重复修补的情况。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种光掩模缺陷定位方法及消除方法。
背景技术
光掩模缺陷种类繁多,某些特殊缺陷在离子修补设备上成像精度不够,导致在操作员修补的过程中缺陷不易被发现,无法从离子束修补设备的成像界面判断缺陷的准确位置。尤其是针对光掩模氧化铬层缺陷,氧化铬层缺陷在离子修补设备上无法准确成像,这种情况对操作员修补经验要求极高,经常会导致操作员修错位置进而造成多次反复修补的情况,这种情况下经常导致浪费产能,延长交货周期,甚至产品报废的情况。
因此,有必要提供一种新型的光掩模缺陷定位方法及消除方法以解决现有技术中存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光掩模缺陷定位方法及消除方法,提高光掩膜缺陷修补的准确率和效率,降低重复修补的情况。
为实现上述目的,本发明的所述一种光掩模缺陷定位方法,包括:
获取目标光掩模中刻蚀掩模层中电子图像,所述目标光掩模包括透明衬底层和若干个设置在所述透明衬底层上的刻蚀掩模层,所述刻蚀掩膜层存在缺陷;
根据所述电子图像获取所述电子图像中的图像缺陷位置;
根据所述图像缺陷位置确定所述刻蚀掩模层中的实际缺陷位置,根据所述实际缺陷位置在所述透明衬底层表面进行刻蚀沉积处理以形成若干个定位点。
本发明所述光掩模缺陷定位方法的有益效果在于:在获取存在缺陷的目标光掩模的电子图像之后,以便于根据电子图像确定目标光掩模中的实际缺陷位置,并根据实际缺陷位置形成定位点,以便于完成对目标光掩模的实际缺陷位置的定位过程,便于后续在消除光掩模缺陷的过程中,提高光掩膜缺陷位置修补的准确率和效率,降低重复修补的情况,减少产能浪费。
可选的,所述根据所述实际缺陷位置在所述透明衬底层表面进行刻蚀沉积处理以形成若干个定位点,包括:
根据所述刻蚀掩模层上的所述实际缺陷位置,在所述实际缺陷位置两侧的所述透明衬底层上确定定位点位置;
根据所述定位点位置,采用电子束对所述定位点位置进行刻蚀预处理;
在刻蚀预处理后的所述定位点位置沉积一层定位薄膜,反复多次沉积,直至所述定位薄膜厚度达到预设厚度;
采用所述电子束对所述定位薄膜进行刻蚀后处理以形成预设尺寸的所述定位点。
可选的,所述定位点的形状为矩形,所述缺陷位置线宽的长度为A,所述定位点的长所在直线与所述线宽所在直线垂直,所述定位点的宽所在直线与所述线宽所在直线平行。
可选的,所述定位点的长的尺寸为0.05A至0.3A,所述定位点的宽的尺寸为0.02A至0.1A。
可选的,根据所述实际缺陷位置在所述透明衬底层表面进行刻蚀沉积处理以形成若干个定位点的过程中,还包括对所述定位点位置进行光晕抑制,所述光晕抑制的次数为1至6次,所述光晕抑制像素量为1至3000像素。
本发明还提供了一种光掩模缺陷消除方法,包括:
采用上述的光掩模缺陷定位方法在目标光掩模的透明衬底层上形成若干个定位点;
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