[发明专利]一种离子注入入射角度和转角的自动监测方法

权利要求书

1.一种离子注入入射角度和转角的自动监测方法，其特征在于，所述离子注入入射角度和转角的自动监测方法，包括：

执行步骤S1：建立自动工艺和监测流程，并为所述流程分配至少3片硅基衬底；

执行步骤S2：在离子注入机台端建立与硅基衬底等数量的不同预设角度相对应的程式；

执行步骤S3：根据自动工艺流程，依次对所述硅基衬底进行预设角度相应程式的离子注入；

执行步骤S4：根据自动工艺流程，依次测量硅基衬底的热波值，量测机台便将热波值自动输送至设备自动化编程端；

执行步骤S5：在设备自动化编程端预置与硅基衬底等数量的所述不同预设角度，并对抛物线拟合以及角度偏差计算进行程式编制、写入；

执行步骤S6：设备自动化编程端自动调用所述不同预设角度作为横坐标，以量测机台输送的热波值作为纵坐标拟合抛物线曲线，并计算出相应的角度偏差；

执行步骤S7：设备自动化编程端将计算得到的角度偏差输送至质量管理控制系统。

2.如权利要求1所述离子注入入射角度和转角的自动监测方法，其特征在于，所述预设角度为入射角度或者转角角度。

3.如权利要求2所述离子注入入射角度和转角的自动监测方法，其特征在于，在进行入射角度监测时，仅改变入射角度，其余设定参数均保持不变。

4.如权利要求2所述离子注入入射角度和转角的自动监测方法，其特征在于，在进行转角监测时，仅改变转角角度，其余设定参数均保持不变。

5.如权利要求1所述离子注入入射角度和转角的自动监测方法，其特征在于，所述离子注入入射角度和转角的自动监控方法所采用的拟合曲线为抛物线曲线，y＝Ax²+Bx+c。

6.如权利要求5所述离子注入入射角度和转角的自动监测方法，其特征在于，所述硅基衬底的数量为3个及以上的任一自然数。

7.如权利要求6所述离子注入入射角度和转角的自动监测方法，其特征在于，为所述流程分配的硅基衬底为5片。

8.如权利要求1所述离子注入入射角度和转角的自动监测方法，其特征在于，所述相应的角度偏差为由不同预设角度作为横坐标，测量所得的热波值作为纵坐标所拟合的抛物线曲线的最低点角度与不同预设角度的中间值之差计算获得。