[发明专利]一种离子注入入射角度和转角的自动监测方法

说明书

一种离子注入入射角度和转角的自动监测方法，包括：建立自动工艺和监测流程，并为流程分配至少3片硅基衬底；在离子注入机台端建立不同预设角度相对应的程式；依次对硅基衬底进行预设角度相应程式的离子注入；依次测量硅基衬底的热波值，输送至设备自动化编程端；在设备自动化编程端预置预设角度，并对抛物线拟合以及角度偏差计算进行程式编制、写入；设备自动化编程端自动调用预设角度作为横坐标，热波值作为纵坐标拟合抛物线曲线，并计算出相应的角度偏差；将角度偏差输送至质量管理控制系统。本发明不断能提高工作效率，而且能够实现入射角度和转角角度的SPC监控，提升机台的稳定性，最终反映到产品电性参数、良率和可靠性的稳定。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种离子注入入射角度和转角的自动监测方法。

背景技术

随着大规模集成电路制造技术的迅猛发展和器件特征尺寸的持续减小，离子注入入射角度和转角的偏差对晶体管性能的影响变得越来越显著，入射角的不同将造成离子注入深度改变，而注入转角的差异也将导致离子横向分布轮廓的偏差，两者都将影响器件的电性参数，最终影响产品的良率和可靠性。因此，对离子注入入射角度和转角的定期监测和管控变得尤为重要。

目前，对离子注入入射角度和转角的监测均停留在手动阶段，需要将机台切换到手动模式，工程师人为的对5片硅片进行预设角度的离子注入，测量各硅片的热波值(TW,Thermal Wave)，再以各角度值为横坐标、热波值为纵坐标拟合抛物线，最后利用抛物线趋势线公式计算得到角度偏差。

明显地，现有对离子注入入射角度和转角进行监测的方法存在着严重弊端，一方面机台生产需要被中断，导致生产效率降低，另一方面工程师工作量增大，负担重，更重要的是无法对角度偏差进行定期监测和SPC管控。

寻求一种能够保证机台连续生产，提高生产效率，并降低工程师劳动强度，可对离子注入入射角度和转角进行定期监测和SPC管控的方法已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种离子注入入射角度和转角的自动监测方法。

发明内容

本发明是针对现有技术中，传统的离子注入入射角度和转角进行监测时，一方面机台生产需要被中断，导致生产效率降低，另一方面工程师工作量增大，负担重，更重要的是无法对角度偏差进行定期监测和SPC管控等缺陷提供一种离子注入入射角度和转角的自动监测方法。

为实现本发明之目的，本发明提供一种离子注入入射角度和转角的自动监测方法，所述离子注入入射角度和转角的自动监测方法，包括：

执行步骤S1：建立自动工艺和监测流程，并为所述流程分配至少3片硅基衬底；

执行步骤S2：在离子注入机台端建立与硅基衬底等数量的不同预设角度相对应的程式；

执行步骤S3：根据自动工艺流程，依次对所述硅基衬底进行预设角度相应程式的离子注入；

执行步骤S4：根据自动工艺流程，依次测量硅基衬底的热波值，量测机台便将热波值自动输送至设备自动化编程端；

执行步骤S5：在设备自动化编程端预置与硅基衬底等数量的所述不同预设角度，并对抛物线拟合以及角度偏差计算进行程式编制、写入；

执行步骤S6：设备自动化编程端自动调用所述不同预设角度作为横坐标，以量测机台输送的热波值作为纵坐标拟合抛物线曲线，并计算出相应的角度偏差；

执行步骤S7：设备自动化编程端将计算得到的角度偏差输送至质量管理控制系统。

可选地，所述预设角度为入射角度或者转角角度。

可选地，在进行入射角度监测时，仅改变入射角度，其余设定参数均保持不变。