[发明专利]发光芯片制作方法及发光芯片

权利要求书

1.一种发光芯片制作方法，其特征在于，包括：

提供制备有晶粒的生长衬底，将所述生长衬底的厚度从所述生长衬底远离晶粒的第一面减薄至第一目标厚度；

将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合，以使所述量子点色转换层与所述晶粒被减薄后的所述生长衬底间隔，所述晶粒发出的光可穿过减薄后的所述生长衬底进入所述量子点色转换层。

2.如权利要求1所述的发光芯片制作方法，其特征在于，所述量子点色转换层包括具有多孔洞结构的基板和填充于所述多孔洞结构中的量子点，所述量子点色转换层的两相对侧面分别为具有多孔洞结构的第一面和远离多孔洞结构的第二面。

3.如权利要求2所述的发光芯片制作方法，其特征在于，所述生长衬底的第一面与所述量子点色转换层的第一面键合，或者所述生长衬底的第一面与所述量子点色转换层的第二面键合。

4.如权利要求2所述的发光芯片制作方法，其特征在于：还包括制备所述量子点色转换层，具体包括：

将具有多孔洞结构的基板的厚度减薄至第二目标厚度；

在厚度减薄至所述第二目标厚度之后的所述基板的至少部分孔洞中填充量子点。

5.如权利要求2所述的发光芯片制作方法，其特征在于：

所述生长衬底的第一面与所述量子点色转换层的第二面键合；

在所述生长衬底与量子点色转换层键合前在所述基板的至少部分孔洞中填充量子点，或者在所述生长衬底与量子点色转换层键合后在所述基板的至少部分孔洞中填充量子点。

6.如权利要求4所述的发光芯片制作方法，其特征在于：将具有多孔洞结构的基板的厚度减薄至第二目标厚度具体包括：提供一支撑结构，上蜡将所述基板的第一面与所述支撑结构固定；

研磨、抛光所述基板的第二面，以将所述基板的厚度减薄至第二目标厚度；

去除蜡，使所述基板的第一面与所述支撑结构分离。

7.如权利要求6所述的发光芯片制作方法，其特征在于：所述基板的翘曲值小于或等于35微米。

8.如权利要求1所述的发光芯片制作方法，其特征在于：所述生长衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底。

9.如权利要求1所述的发光芯片制作方法，其特征在于：将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合时：以所述生长衬底支撑所述晶粒，以将所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合。

10.如权利要求9所述的发光芯片制作方法，其特征在于：所述生长衬底的第一目标厚度为50um～100um。

11.如权利要求1所述的发光芯片制作方法，其特征在于：在将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合前：将所述生长衬底制备有晶粒的第二面和一支撑基板键合，使得所述晶粒与所述支撑基板粘接，以所述支撑基板支撑所述晶粒和生长衬底。

12.如权利要求11所述的发光芯片制作方法，其特征在于：在将所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合后，解除所述晶粒与所述支撑基板的粘接。

13.如权利要求11所述的发光芯片制作方法，其特征在于：所述生长衬底的第一目标厚度为35um～60um。

14.如权利要求1所述的发光芯片制作方法，其特征在于：一所述生长衬底上制备有多个晶粒，将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合之后，沿所述晶粒之间的间隙进行切割，获得包含有至少一个所述晶粒的发光芯片。

15.一种发光芯片，其特征在于，所述发光芯片采用如权利要求1至14任一项所述的制作方法制成。