[发明专利]半导体装置以及晶片

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板，具有上表面和下表面；

金属层，设于所述基板的下表面；

半导体元件，具备多个第一电极、多个第二电极以及第一焊盘，其中，所述多个第一电极设于所述基板的上表面，经由贯通所述基板的贯通孔分别与所述金属层连接，在所述基板的上表面相互电隔离，所述多个第二电极设于所述基板的上表面，与所述多个第一电极交替地设置，所述第一焊盘设于所述基板的上表面，连接所述多个第二电极；以及

保护膜，以覆盖所述多个第一电极和所述多个第二电极的方式设于所述基板的上表面，具有使所述第一焊盘的至少一部分露出的第一开口，不具有与所述多个第一电极重叠的开口。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第一开口内的所述第一焊盘的上表面设有针迹，在所述多个第一电极的上表面未设有针迹。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述半导体元件具备：多个漏极指，设于所述基板的上表面；以及第二焊盘，连接所述多个漏极指，

所述多个第一电极是多个源极指，所述多个第二电极是多个栅极指，

所述多个栅极指分别夹在所述多个源极指中的一个与所述多个漏极指中的一个之间，

所述保护膜覆盖所述多个漏极指，具有使所述第二焊盘的至少一部分露出的第二开口。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

在所述第二开口内的所述第二焊盘的上表面设有针迹。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述多个第一电极是三个以上的第一电极。

6.一种晶片，具备：

基板，具有上表面和下表面，所述上表面具有要分别形成多个芯片的多个区域；

第一金属层，设于所述基板的下表面；

多个半导体元件，分别具备多个第一电极、多个第二电极以及焊盘，其中，所述多个第一电极经由贯通所述基板的第一贯通孔分别与所述第一金属层连接并在所述基板的上表面相互电隔离，所述多个第二电极与所述多个第一电极交替地设置，所述焊盘连接所述多个第二电极，所述多个半导体元件分别对应地设于所述多个区域的所述基板的上表面；

第二金属层，设于所述多个区域以外的所述基板的上表面的其他区域上，经由贯通所述基板的第二贯通孔与所述第一金属层电连接；以及

保护膜，覆盖所述多个第一电极和所述多个第二电极，不覆盖所述焊盘的至少一部分和所述第二金属层的至少一部分。

7.根据权利要求6所述的晶片，其中，

所述第二金属层设于所述晶片的周缘区域。