[发明专利]半导体装置以及晶片

说明书

本公开涉及半导体装置以及晶片。本公开提供一种能小型化的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)；金属层，设于所述基板下；半导体元件，具备多个第一电极、多个第二电极以及第一焊盘，其中，所述多个第一电极设于所述基板上，经由贯通所述基板的贯通孔(20)分别与所述金属层连接，在所述基板上相互电隔离，所述多个第二电极设于所述基板上，与所述多个第一电极交替地设置，所述第一焊盘设于所述基板上，连接所述多个第二电极；以及保护膜，以覆盖所述多个第一电极和所述多个第二电极的方式设于所述基板上，具有使所述第一焊盘的至少一部分露出的第一开口，不具有与所述多个第一电极重叠的开口。

技术领域

本公开涉及半导体装置以及晶片(wafer)，例如涉及具有半导体元件的半导体装置以及晶片。

背景技术

已知在基板形成贯通孔并将形成于基板上的半导体元件的电极中的一个电极经由基板的贯通孔连接于基板的下表面的金属层的技术(例如专利文献1)。已知使针从上方与形成于晶片的半导体元件接触来测定半导体元件的特性(例如专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2020－17647

专利文献2：日本特开2018－146444

在晶片状态下测定半导体元件的特性的情况下，使施加偏压用或者施加信号用的针与连接于半导体元件的多个电极的晶片表面的焊盘接触。因此，用于对经由贯通孔连接于基板的下表面的金属层的电极施加偏压或者施加信号的另外的焊盘也设置在晶片表面。由此，芯片大型化。

发明内容

本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能小型化的半导体装置以及晶片。

本公开的一个实施方式是一种半导体装置，具备：基板，具有上表面和下表面；金属层，设于所述基板的下表面；半导体元件，具备多个第一电极、多个第二电极以及第一焊盘，其中，所述多个第一电极设于所述基板的上表面，经由贯通所述基板的贯通孔分别与所述金属层连接，在所述基板的上表面相互电隔离，所述多个第二电极设于所述基板的上表面，与所述多个第一电极交替地设置，所述第一焊盘设于所述基板的上表面，连接所述多个第二电极；以及保护膜，以覆盖所述多个第一电极和所述多个第二电极的方式设于所述基板的上表面，具有使所述第一焊盘的至少一部分露出的第一开口，不具有与所述多个第一电极重叠的开口。

本公开的一个实施方式是一种晶片，具备：基板，具有上表面和下表面，所述上表面具有要分别形成多个芯片的多个区域；第一金属层，设于所述基板的下表面；多个半导体元件，分别具备多个第一电极、多个第二电极以及焊盘，其中，所述多个第一电极经由贯通所述基板的第一贯通孔分别与所述第一金属层连接并在所述基板的上表面相互电隔离，所述多个第二电极与所述多个第一电极交替地设置，所述焊盘连接所述多个第二电极，所述多个半导体元件分别对应地设于所述多个区域的所述基板的上表面；第二金属层，设于所述多个区域以外的所述基板的上表面的其他区域上，经由贯通所述基板的第二贯通孔与所述第一金属层电连接；以及保护膜，覆盖所述多个第一电极和所述多个第二电极，不覆盖所述焊盘的至少一部分和所述第二金属层的至少一部分。

发明效果

根据本公开，能提供一种能小型化的半导体装置以及晶片。

附图说明

图1是实施例1的半导体装置的俯视图。

图2是图1的A－A剖视图。

图3是图1的B－B剖视图。

图4是图1的C－C剖视图。

图5是实施例1的晶片俯视图。

图6是实施例1中的晶片的金属层34附近的放大俯视图。

图7是实施例1中的晶片的剖视图。