[发明专利]半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202210767152.9 申请日: 2022-06-30
公开(公告)号: CN115706021A 公开(公告)日: 2023-02-17
发明(设计)人: 田中才工;古田旭 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/433;H01L23/28
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 包跃华;周春燕
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:

准备工序,准备成型树脂原料、模具、引线框、半导体芯片和控制元件,所述模具包括在俯视时为矩形状并按一个长边、一个短边、另一个长边、另一个短边的顺序被包围的收纳部、和沿着所述一个长边或所述另一个短边设置的所述成型树脂原料的注入口,所述引线框包括主芯片焊盘、与所述主芯片焊盘一体地连接并沿第一方向延伸的主电流端子、比所述主芯片焊盘靠与所述第一方向相反的第二方向设置的第一控制芯片焊盘、与所述第一控制芯片焊盘一体地连接并沿所述第二方向延伸的控制端子以及比所述第一控制芯片焊盘进一步靠所述第二方向设置的第二控制芯片焊盘,所述半导体芯片在正面具备控制电极,所述控制元件在正面具备第一正面电极;

安装工序,在所述主芯片焊盘配置所述半导体芯片,在所述第一控制芯片焊盘配置所述控制元件;

布线工序,经由引线将所述控制电极与所述第一正面电极之间、和所述控制端子与所述第一正面电极之间中的至少任意一个连接;

配置工序,在所述安装工序之后且所述布线工序之前或之后,以在俯视时所述半导体芯片和所述控制元件被收纳于所述收纳部的方式将所述引线框配置于所述模具;以及

成型工序,在俯视时,在所述注入口与所述引线之间且在将所述注入口与所述引线连结的线上配置控制销,将所述成型树脂原料从所述注入口注入到所述收纳部内而利用所述成型树脂原料填充所述收纳部内,将配置于所述引线框的所述半导体芯片和所述控制元件密封。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述第一控制芯片焊盘和所述第二控制芯片焊盘位于比所述主芯片焊盘的正面更高的位置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述引线至少将所述控制电极与所述第一正面电极之间直接连接,

在所述成型工序中,所述控制销以所述控制销的下端部相对于所述主芯片焊盘以及所述半导体芯片分离的方式配置。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在所述一个长边设置有多个所述注入口,所述主芯片焊盘沿着所述一个长边设置有多个,

在多个所述主芯片焊盘分别配置有所述半导体芯片,

所述引线从所述第一正面电极分别连接到多个所述半导体芯片的所述控制电极,

在所述成型工序中,所述控制销以在俯视时跨多个所述主芯片焊盘中的相邻的所述主芯片焊盘之间的方式配置。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在所述成型工序中,所述控制销在俯视时配置于相邻的所述主芯片焊盘上的所述半导体芯片之间。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在从所述一个长边观察所述控制元件的侧视中,分别连接所述第一正面电极与所述控制电极的多个所述引线包括跨越相邻的所述主芯片焊盘之间的引线。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述第一控制芯片焊盘和所述第二控制芯片焊盘位于比所述主芯片焊盘的正面更高的位置,

在所述侧视时,所述控制销的下端部位于比所述第一控制芯片焊盘和所述第二控制芯片焊盘更低的位置。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在所述侧视时,相对于从呈环状地连接所述第一正面电极与所述控制电极的所述引线的环顶点到低处的连接点为止的高度,所述控制销的下端部位于从所述环顶点向下30%以上且80%以下的位置。

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