[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置的制造方法，能够抑制由填充的密封部件引起的引线的变形。所述制造方法包括：成型工序，在俯视时，在注入口(84a～84f)与控制引线(22c、22b)之间且在将注入口(84a～84f)与控制引线(22c、22b)连结的线上配置控制销(87)，将成型树脂原料从注入口(84a～84f)注入到型腔(83)内，利用成型树脂原料填充型腔(83)内，将配置于主电流引线框及控制引线框的半导体芯片及控制元件密封。由此，能够降低成型树脂原料相对于控制引线(22c、22b)的流速。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置包括半导体芯片、控制IC(Integrated Circuit：集成电路)、在主芯片焊盘部配置有该半导体芯片的主电流引线框、以及在控制芯片焊盘部配置有该控制IC的控制引线框。半导体芯片和主电流引线框、控制IC和控制引线框、以及控制IC和半导体芯片的控制电极分别通过引线直接连接。进一步，半导体装置通过密封部件将半导体芯片和控制IC与主芯片焊盘部和控制芯片焊盘部密封。半导体芯片包括功率器件的开关元件以及二极管元件。开关元件例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。二极管元件是SBD(Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管)、PiN(P-intrinsic-N：P-本征-N)二极管的FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)。控制IC通过引线输出控制信号来进行该开关元件的驱动控制。

这样的半导体装置经由以下的工序来制造。首先，在主芯片焊盘部和控制芯片焊盘部分别配置半导体芯片和控制IC，并在模具的型腔内配置分别包含该主芯片焊盘部和控制芯片焊盘部的主电流引线框和控制引线框。在模具内填充液态的密封树脂而将模具内密封，使其固化。如果取下模具，则得到半导体装置(例如，参照专利文献1)

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-123495号公报

发明内容

技术问题

在上述半导体装置的制造方法中，如果向型腔内注入液态的密封树脂，则密封树脂(成型树脂原料)一边在型腔内流动，一边填充整个型腔。在这样填充的过程中，有时由于在型腔内流动的密封树脂，导致引线变形、或根据情况而倾倒。如果引线变形，则相邻的引线彼此接触，成为短路发生的原因。另外，由于引线倾倒，有时会导致引线的接合部位剥离。这些成为半导体装置故障的原因，半导体装置的可靠性降低。

本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于提供一种能够抑制由填充的成型树脂原料引起的引线变形的半导体装置的制造方法。

技术方案