[发明专利]片式压敏电阻器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种片式压敏电阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备添加剂，所述添加剂由摩尔比为（1.0～2.0）:（1.0～2.0）:（0.4～0.8）:（0.4～0.8）:（0.4～0.8）:（1.0～2.0）:（0.8~1.6）:（0.2～0.8）:（0.01～0.05）:（0.02～0.08）的Bi₂O₃、Sb₂O₃、MnO₂、Cr₂O₃、Co₂O₃、H₃BO₃、Zn₃(PO₄)₂·4H₂O、Nb₂O₅、AgNO₃和Al(NO₃)₃·9H₂O组成；所述H₃BO₃和所述Zn₃(PO₄)₂·4H₂O形成共熔化合物；

将所述添加剂与主晶相材料、溶剂和助剂进行混合研磨处理，得到瓷体材料；所述主晶相材料选自氧化锌；通过调节所述瓷体材料中所述添加剂和所述主晶相材料的配比，能够分别制备出低电位梯度的瓷体材料、中电位梯度的瓷体材料和高电位梯度的瓷体材料；

将所述瓷体材料制成片式压敏电阻器；制成所述片式压敏电阻器的烧结温度低于900℃。

2.如权利要求1所述的片式压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述主晶相材料的粒径D50不高于0.8μm，粒径D95不高于2μm；

和/或，所述添加剂的粒径D50不高于0.8μm，粒径D95不高于2μm。

3.如权利要求1或2所述的片式压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述混合研磨处理的步骤包括：

将质量比为（90~94）：（6~10）的所述添加剂与所述主晶相材料混合研磨后，与所述溶剂和所述助剂进行混合研磨处理，得到电位为300V/mm~500V/mm的瓷体材料；

或者，

将质量比为（86~90）：（10~14）的所述添加剂与所述主晶相材料混合研磨后，与所述溶剂和所述助剂进行混合研磨处理，得到电位为500 V/mm ~1000V/mm的瓷体材料；

或者，

将质量比为（81~86）：（14~19）的所述添加剂与所述主晶相材料混合研磨后，与所述溶剂和所述助剂进行混合研磨处理，得到电位为1000 V/mm ~2000V/mm的瓷体材料。

4.如权利要求3所述的片式压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述助剂包括分散剂、粘合剂和增稠剂；

和/或，所述溶剂包括甲苯与醇类溶剂的混合溶剂或者醋酸丙酯与醇类溶剂的混合溶剂。

5.如权利要求4所述的片式压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述瓷体材料中，所述分散剂的质量百分含量为1%~2%，所述粘合剂的质量百分含量为7~12%，所述增稠剂的质量百分含量为2~5%，所述溶剂的质量百分含量为50%~80%；

和/或，所述分散剂选自丙烯酸脂种类；

和/或，所述粘合剂选自聚甲基丙烯酸甲酯体系；

和/或，所述增稠剂选自邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、己二酸二辛酯中的至少一种；

和/或，所述溶剂选自甲苯和无水乙醇的混合溶剂或者醋酸丙酯和异丁醇混合溶剂。

6.如权利要求4或5任一项所述的片式压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述混合研磨处理的步骤包括：

将所述添加剂与所述主晶相材料混合后，添加所述溶剂和所述分散剂，在球磨频率为25~30HZ的条件下行星球磨6~12小时，添加所述粘合剂和所述增稠剂，在球磨频率为25~30HZ的条件下行星球磨6~12小时，得到所述瓷体材料。