[发明专利]片式压敏电阻器及其制备方法和应用

说明书

本申请属于电阻器技术领域，尤其涉及一种片式压敏电阻器及制备方法和应用。包括步骤：制备摩尔比为(1.0～2.0):(1.0～2.0):(0.4～0.8):(0.4～0.8):(0.4～0.8):(1.0～2.0):(0.8～1.6):(0.2～0.8):(0.01～0.05):(0.02～0.08)的Bisubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;、Sbsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;、MnOsubgt;2/subgt;、Crsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;、Cosubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;、Hsubgt;3/subgt;BOsubgt;3/subgt;、Znsubgt;3/subgt;(POsubgt;4/subgt;)subgt;2/subgt;·4Hsubgt;2/subgt;O、Nbsubgt;2/subgt;Osubgt;5/subgt;、AgNOsubgt;3/subgt;和Al(NOsubgt;3/subgt;)subgt;3/subgt;·9Hsubgt;2/subgt;O的添加剂；与主晶相材料、溶剂和助剂混合后制成片式压敏电阻器。降低烧结温度，调整添加剂与主晶相材料的配比，能分别制备低中高不同电位梯度电阻器，简单高效。

技术领域

本申请属于电阻器技术领域，尤其涉及一种片式压敏电阻器及其制备方法和应用。

背景技术

现代电子整机设备日趋小型化、轻薄化以及多功能化的趋势，使得其内部电路的集成度和电子元件安装密度大大提高，电子元器件作为电子设备里最基础的部分，其小型化的需求愈发强烈。传统形态的插件式ZnO压敏变阻器具有尺寸大(市面最小为)、通流量小等缺陷，使得其应用受到较大限制。而随着材料及工艺技术的提升，片式压敏电阻器因其小型化，优异的浪涌过电压防护能力而越来越受到市场的青睐，在部分使用领域已开始逐渐替代传统的插件压敏，特别是在安防、通讯电源、网通及LED照明等领域方面，已得到更广泛的应用。片式压敏电阻器峰值电流参数的大小决定了产品抗浪涌能力的强弱，参数越大，表明产品抗浪涌能力越强，保护效果越好。而该参数主要由瓷体材料、产品尺寸(结构设计)及生产工艺相关，随着小型化趋势需求，唯有近一步提高瓷体材料通流密度，方能进一步提高产品浪涌防护性能，满足市场需求。

目前的片式压敏电阻器根据应用领域的差异，大抵上可分为直流应用(低压5～30V、中压30V～85V)及交流应用(高压110V～320V)，根据不同的电压范围，制作技术中需要采用不同类别的配方来制作，因多种类别配方在产线上运作，每次制粉制浆料均需要严格对治具和设备进行清洁，或者需要准备多套设备进行分类专用，以此防止多种料别之间的交叉污染，此类操作规程导致生产效率较低，过程复杂，现场管理繁琐等问题存在。目前批量化生产的片式压敏电阻器主要还是采用匹配Pd10/Ag90或Pd20/Ag80内电极浆料的ZnO-Bi系瓷体材料，其烧结温度均需要在900℃及以上温度，此烧结温度对于纯银内浆来说还是偏高，并无法完全有效匹配，如内电极需要印刷达到10μm及以上厚度，防止引出端及内电极烧损，烧结温度调整空间狭小等问题，因此若要完全适配纯银内电极浆料，瓷体材料体系的烧结温度还需要进一步降低至900℃以下。

发明内容

本申请的目的在于提供一种片式压敏电阻器及其制备方法，以及一种电子设备，旨在一定程度上解决不同电压范围的片式压敏电阻器需采用不同类别的配方制作，生产效率低，烧结温度高的问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种片式压敏电阻器的制备方法，包括以下步骤：