[发明专利]一种半导体小型化封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体小型化封装结构，其特征在于，包括至少一个半导体组件，每个半导体组件均包括：

基板，所述基板具有相背的上表面和下表面；

绝缘层I，所述绝缘层I覆盖在基板的上表面，所述绝缘层I包括第一介质层和第二介质层，且第二介质层位于第一介质层和基板之间；

绝缘层II，所述绝缘层II覆盖在基板的下表面，所述绝缘层II包括第三介质层和第四介质层，且第三介质层位于基板和第四介质层之间；

无源器件，所述无源器件设置在第二介质层和/或第三介质层中；

连接片，所述连接片与无源器件对应设置，且连接片位于第一介质层和/或第四介质层中；

连接柱，所述连接柱贯穿第二介质层、基板和第三介质层，且连接柱的至少一端通过连接片与对应的无源器件电连接；所述连接柱的周围设有围绕孔，且围绕孔至少露出连接柱的侧壁、连接片的表面、连接柱所对应的基板的内表面、第二介质层的内表面以及第三介质层的内表面；

隔离件，所述隔离件设置在围绕孔中并覆盖在连接柱的侧壁、连接片的表面、连接柱所对应的基板的内表面、第二介质层的内表面以及第三介质层的内表面上，且隔离件的厚度小于连接柱的侧壁到基板之间的距离的1/2，以形成空气隙。

2.根据权利要求1所述的半导体小型化封装结构，其特征在于，还包括环绕在无源器件周围的连接垫，所述连接垫与无源器件相对应，且连接片通过连接垫与无源器件形成电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体小型化封装结构，其特征在于，当第二介质层和第三介质层中均设有无源器件时，两个无源器件位于连接柱的同一侧或者两侧；当第三介质层中设有无源器件且第二介质层中无无源器件时，连接柱的上端与设置在第一介质层中的金属连接层连接，连接柱的下端通过设置在第四介质层中的连接片和第三介质层中对应的无源器件电连接；当第二介质层中设有无源器件且第三介质层中无无源器件时，连接柱的下端与设置在第四介质层中的金属连接层连接，连接柱的上端通过设置在第一介质层中的连接片和第二介质层中的对应的无源器件电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体小型化封装结构，其特征在于，当第二介质层和第三介质层中均设有无源器件时，上下无源器件所对应的连接片中至少一个连接片的表面露出第一介质层或第四介质层；当第三介质层中或者第二介质层中设有无源器件时，金属连接层的表面和无源器件所对应的连接片的表面中至少有一个表面露出第一介质层或第四介质层。

5.一种半导体小型化封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，提供基板，所述基板的上表面上设有第二介质层，基板的下表面上设有第三介质层，且基板的上表面和基板的下表面相背设置；

S2，在第二介质层和/或第三介质层中设置连接垫，并连接垫的中部装设无源器件；

S3，在第二介质层的表面覆盖第一介质层，在第三介质层的表面覆盖第四介质层，且若第二介质层和/或第三介质层中设有连接垫和无源器件时，第一介质层和第四介质层均覆盖连接垫和无源器件；

S4，在连接垫的一侧设置连接柱，所述连接柱贯穿基板、第二介质层和第三介质层，并将连接柱延伸贯穿第一介质层或第四介质层；

S5，在延伸后的连接柱的周围形成围绕孔，所述围绕孔至少露出连接柱的侧壁和连接柱所对应的第二介质层、基板以及第三介质层的内表面，当延伸后的连接柱贯穿第一介质层时，围绕孔至少还露出延伸后的连接柱所对应的第一介质层的内表面以及围绕孔所在的第四介质层的表面，当延伸后的连接柱贯穿第四介质层时，围绕孔至少还露出延伸后的连接柱所对应的第四介质层的内表面以及围绕孔所在的第一介质层的表面；

S6，在围绕孔中形成隔离件，当连接柱贯穿第一介质层时，所述隔离件至少覆盖围绕孔所对应的第四介质层的表面、连接柱的侧壁、连接柱所对应的第二介质层的内表面、连接柱所对应的基板的内表面、连接柱所对应的第三介质层的内表面，当连接柱贯穿第四介质层时，所述隔离件至少覆盖围绕孔所在的第一介质层的表面、连接柱的侧壁、连接柱所对应的第二介质层的内表面、连接柱所对应的基板的内表面、连接柱所对应的第三介质层的内表面，进而在围绕孔内形成隔离件围成的空气隙；

S7，在第一介质层和/或第四介质层中设置连接片，所述连接片连接连接垫和连接柱。