[发明专利]一种镁合金微弧氧化膜致密化控制方法

权利要求书

1.一种镁合金微弧氧化膜致密化控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，在室温下直接辐照方式进行，根据微弧氧化镁合金在人体中的植入位置确定镁合金微弧氧化膜致密化要求，选择适当的辐照强度和辐照次数；

步骤二，抽真空，确定辐照强度与阳极表面距离的关系；将辐照强度测量装置Faraday杯正对离子源阳极放置；关闭真空室，并用真空泵将真空室内真空度控制在0.8-1.1×10^-2Pa；连续改变Faraday杯与阳极表面的距离，获得离子束流强度与阳极表面距离的对应关系；

步骤三，根据第一步中选择的辐照强度及第二步中辐照强度与阳极表面的位置关系，将微弧氧化处理的镁合金器件，安置在强流脉冲离子束装置试样台上，试样台放置在强流脉冲离子束装置的真空室内，使镁合金微弧氧化膜充分暴露于强流脉冲离子束的辐照区域；

步骤四，关闭真空室，真空室内真空度控制在0.8-1.1×10^-2Pa，对氧化膜多孔层进行致密化处理；在室温条件下，采用强流脉冲离子束对氧化膜进行辐照处理；在离子束的重熔和反冲作用下，使氧化膜多孔层变得更为连续致密；

步骤五，对氧化膜多孔层表面孔洞进行微细化处理；按氧化膜表面孔隙率降低要求确定辐照强度50-100A/cm²和辐照次数，然后重复步骤三；

步骤六，关闭真空室，对氧化膜多孔层进行表面孔洞微细化处理；

将真空室内真空度控制在0.8-1.1×10^-2Pa；在室温真空条件下，采用强流脉冲离子束对氧化膜进行辐照处理；在离子束的重熔作用下，使氧化膜多孔层表面孔洞尺度降低。

2.根据权利要求1所述的一种镁合金微弧氧化膜致密化控制方法，其特征在于，

根据要求的多孔层致密度，选择所需强流脉冲离子束的束流密度和辐照次数，当要求改性多孔层的致密度增量为下限值1％时，则强流脉冲离子束束流密度釆用下限值为200A/cm²，辐照次数釆用下限值为2次；当要求改性多孔层致密度增量为上限值5％时，则强流脉冲离子束束流密度釆用上限值为250A/cm²，辐照次数釆用上限值为10次。

3.根据权利要求1或2所述的一种镁合金微弧氧化膜致密化控制方法，其特征在于，

根据镁合金微弧氧化膜表层致密化技术第二步中强流脉冲离子束辐照后在氧化膜表面孔隙率的大小，确定辐照过程中采用强流脉冲离子束的束流密度和辐照次数，当要求氧化膜表面孔隙率减小量为5％时，则辐照过程中强流脉冲离子束束流密度采用下限值为50A/cm²，辐照次数釆用下限值为1次；当要求氧化膜表面孔隙率减小量为10％时，则辐照过程中强流脉冲离子束束流密度釆用上限值为100A/cm²，辐照次数釆用上限值为5次。