[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

形成刻蚀停止件焊盘，所述刻蚀停止件焊盘包括在衬底之上的牺牲插塞和在所述牺牲插塞之上的牺牲焊盘；

在所述刻蚀停止件焊盘之上形成刻蚀目标层；

通过刻蚀所述刻蚀目标层并在所述牺牲焊盘处停止刻蚀来形成多个开口；

通过经由所述开口去除所述牺牲焊盘和所述牺牲插塞来形成气隙；以及

形成填充所述开口和所述气隙的间隙填充层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲焊盘具有弯曲形状。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述间隙填充层包括：

形成电介质材料以填充所述开口和所述气隙，

其中，所述电介质材料包括填充所述气隙的横向部分和填充所述开口的垂直部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述电介质材料的横向部分具有沿一个方向延伸的线形，以及

所述电介质材料的垂直部分具有从所述横向部分垂直延伸的柱状。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲插塞和所述牺牲焊盘包括相对于所述刻蚀目标层具有刻蚀选择性的材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲插塞和所述牺牲焊盘包括金属基材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀目标层包括不同材料交替地层叠的交替叠层，以及

所述刻蚀停止件焊盘相对于所述交替叠层具有刻蚀选择性。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀目标层包括电介质层、半导体层或它们的组合。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀目标层包括电介质层和半导体层交替地层叠的交替叠层。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述刻蚀目标层包括至少一个叠层，其中第一电介质层、第二电介质层、半导体层和第三电介质层以所述次序层叠，

其中，所述第一电介质层包括氧化硅，

其中，所述第二电介质层和所述第三电介质层包括氮化硅，以及

其中，所述半导体层包括多晶硅。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述刻蚀目标层包括第一半导体层和第二半导体层交替地层叠的交替叠层，

其中，所述第一半导体层包括单晶硅或多晶硅，以及

其中，所述第二半导体层包括硅锗。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述刻蚀停止件焊盘包括：

形成下层停止件焊盘，所述下层停止件焊盘包括在所述衬底之上的第一牺牲插塞和在所述第一牺牲插塞之上的第一牺牲焊盘；

形成上层停止件焊盘，所述上层停止件焊盘包括与在所述衬底之上的所述第一牺牲插塞间隔开的第二牺牲插塞；

以及形成第二牺牲焊盘，所述第二牺牲焊盘位于所述第二牺牲插塞之上并且位于比所述第一牺牲焊盘高的水平处。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一牺牲插塞、所述第一牺牲焊盘、所述第二牺牲插塞和所述第二牺牲焊盘中的每一个均包括金属基材料。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一牺牲焊盘和所述第二牺牲焊盘中的每一个均通过以所述顺序来层叠钨和氮化钛来形成。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一牺牲焊盘和所述第二牺牲焊盘中的至少一个具有狗骨形状。