[发明专利]一种管式单面氧化铝镀膜方法、PERC电池及光伏组件有效
| 申请号： | 202210781764.3 | 申请日： | 2022-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN115148853B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 宋飞飞;何悦;任勇;王英杰;朱响彬 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/505;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘二艳 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单面 氧化铝 镀膜 方法 perc 电池 组件 | ||
1.一种管式单面氧化铝镀膜方法，其特征在于，所述管式单面氧化铝镀膜方法包括如下步骤：
(1)对PERC硅片进行加热升温至设定温度280～350℃后，进行抽真空处理460～560s，VAT蝶阀开度为90％以下，所述抽真空处理后的压力为15Pa以下；
(2)对步骤(1)处理后的PERC硅片在温度为280～350℃、气体压力为15Pa以下和VAT蝶阀开度为90％以下的条件下进行预供气处理10～30s，预供气处理包括通入流量为1800～2800sccm的氮气和流量为40～80sccm的铝源，再在温度为280～350℃、VAT蝶阀开度为90％以下、恒压150～220Pa的条件下通气20～50s，所述通气的气体包括流量为5500～6500sccm的笑气、流量为1800～2800sccm的氮气和流量为40～80sccm的铝源；
(3)对步骤(2)处理后PERC硅片进行射频功率为5000～8000w的PECVD法单面氧化铝镀膜100～200s，镀膜时的气体压力为150～220Pa，温度为280～350℃，VAT蝶阀开度为90％以下，镀膜过程中通入流量为5500～6500sccm的笑气、流量为1800～2800sccm的氮气和流量为40～80sccm的铝源；
(4)在温度为280～350℃、VAT蝶阀开度为90％以下和气体压力为15Pa以下的条件下，通入流量为10000～30000sccm氮气进行清洗步骤(3)处理后PERC硅片240～340s，完成所述管式单面氧化铝镀膜。
2.一种PERC电池，其特征在于，所述PERC电池包括PERC硅片和PERC硅片表面的单层氧化铝膜，所述单层氧化铝膜采用如权利要求1所述管式单面氧化铝镀膜方法制备得到。
3.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括如权利要求2所述的PERC电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
