[发明专利]一种管式单面氧化铝镀膜方法、PERC电池及光伏组件

说明书

本发明涉及一种管式单面氧化铝镀膜方法、PERC电池及光伏组件，所述管式单面氧化铝镀膜方法包括如下步骤：(1)对PERC硅片进行加热升温并进行抽真空处理；(2)对步骤(1)处理后的PERC硅片进行预供气处理，再恒压通气处理；(3)对步骤(2)处理后PERC硅片进行PECVD法单面氧化铝镀膜；(4)通入氮气清洗步骤(3)处理后PERC硅片，完成所述管式单面氧化铝镀膜；步骤(2)所述预供气处理的气体包括氮气和铝源，所述恒压通气处理的气体包括笑气、氮气和铝源。本发明适用于管式单面氧化铝制备PERC电池，改善了管式单面氧化铝的黑点黑块污染，减少了太阳能电池的EL不良，提升了电池片生产的良品率。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种管式单面氧化铝镀膜方法，尤其涉及一种管式单面氧化铝镀膜方法、PERC电池及光伏组件。

背景技术

随着高效晶体硅太阳能电池技术的快速发展，人们对晶硅太阳能单晶电池的EL(Electroluminescent，电致发光)质量要求越来越高。新型高效的电池也伴随着较高的技术成本，因此，降低EL不良率也是降低度电成本的有效途径之一。

PERC(Passivated Emitter Rear Cell，发射极及背面钝化)电池是从早期的电池技术升级，通过在常规背电场结构的基础上增加背面钝化层，降低了少数载流子的复合，提升了电池的转换效率，是目前应用广泛的太阳能电池。

电池片除了自身缺陷外，其在制造生产过程中也极易引入各种缺陷造成电池EL测试不良，导致良品率下降。单晶电池片EL黑点黑块一直是行业内电池片EL不良的前三位，严重影响了电池片生产良率、效率和组件整体EL。

CN 112599633A公开了一种降低EL黑点不良的方法，所述方法通过调整电池片在背抛光后的工艺顺序来缩短将硅片暴露在外部环境的时间，背抛光后，提前对硅片完成背钝化ALD工艺，从而达到避免硅片严重污染，减少EL黑点不良的目的。

CN 110295358A公开了一种低EL黑斑的PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学的气相沉积)机台饱和工艺，涉及硅太阳能电池制造领域，所述玛雅PECVD机台包括氧化铝反应仓室、氮化硅反应仓室，氧化铝反应仓室用于在硅片表面镀氧化铝薄膜，氮化硅反应仓室用于在氧化铝薄膜表面镀氮化硅薄膜，包括以下步骤：步骤一，真空升温处理；步骤二，工艺温度参数设定；步骤三，气体流量参数设定；步骤四，射频功率参数设定；步骤五，在步骤二至步骤三的参数设定完成后，保持石墨载板连续进出玛雅PECVD机台；步骤六，机台饱和，在上述参数条件下，饱和玛雅PECVD机台1小时，具备不影响玛雅PECVD机台产量，不需要改造设备的前提下降低由于玛雅PECVD机台保养而产生的EL黑斑黑点问题。

以上技术方案中从背抛光后的工艺顺序和玛雅板式PECVD设备的饱和工艺来减少EL黑点不良的问题，但是不能解决管式单面氧化铝设备制造电池片的黑点黑块问题。

因此，如何提供一种PERC电池片的制备方法来改善管式单面氧化铝设备中生产出的黑点黑块，是太阳能电池制造技术领域待解决的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种管式单面氧化铝镀膜方法、PERC电池及光伏组件，适用于管式单面氧化铝制备PERC电池，改善了管式单面氧化铝的黑点黑块污染，减少了太阳能电池的EL不良，提升了电池片生产的良品率。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明提供了一种管式单面氧化铝镀膜方法，所述管式单面氧化铝镀膜方法包括如下步骤：

(1)对PERC硅片进行加热升温并进行抽真空处理；

(2)对步骤(1)处理后的PERC硅片进行预供气处理，再恒压通气处理；