[发明专利]一种硅晶片清洗剂及其制备方法在审
| 申请号： | 202210795380.7 | 申请日： | 2022-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN115044421A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 江铭荣 | 申请（专利权）人： | 宜兴市华青润滑材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/83 | 分类号： | C11D1/83;C11D3/10;C11D3/20;C11D3/32;C11D3/37;C11D3/48;C11D3/60 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 周高 |
| 地址： | 214200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 洗剂 及其 制备 方法 | ||
1.一种硅晶片清洗剂，其特征在于，所述硅晶片清洗剂包括重量份数的如下组分：20-30份的基底材料，10-15份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，6-10份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，2-5份的杀菌剂，2-5份的二乙二醇、1-3份的消泡剂、5-8份的硅酸盐类抗氧化剂和30-40份的纯水。
2.根据权利要求1所述的硅晶片清洗剂，其特征在于：所述硅晶片清洗剂包括重量份数的如下组分：20份的基底材料，10份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，8份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，2份的杀菌剂，5份的二乙二醇、1份的消泡剂、5份的硅元素抗氧化剂和40份的纯水。
3.根据权利要求1所述的硅晶片清洗剂，其特征在于：所述基底材料为环氧乙烷。
4.根据权利要求1所述的硅晶片清洗剂，其特征在于：所述低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚的HLB值为2～3，所述高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚的HLB值为14～15。
5.根据权利要求1所述的硅晶片清洗剂，其特征在于：所述杀菌剂为IPBC、BIJ-20中的任意一种或两种的混合。
6.根据权利要求1所述的硅晶片清洗剂，其特征在于：所述消泡剂为硅烷基聚醚消泡剂。
7.根据权利要求1或4所述的硅晶片清洗剂，其特征在于：所述高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚上衔接环氧丙烷。
8.一种制备如权利要求1-7任一项所述硅晶片清洗剂的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：向反应容器中加入低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚和高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，搅拌至均匀，得到基底溶液
S2：向步骤S1中得到的基底溶液中边搅拌边加入纯水，搅拌时间为4-8h；
S3：向反应容器中加入基底材料、杀菌剂、二乙二醇、消泡剂和硅酸盐类抗氧化剂，搅拌均匀，得到最终成品。
9.根据权利要求8所述硅晶片清洗剂的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中搅拌时间为0.5h。
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