[发明专利]一种硅晶片清洗剂及其制备方法

说明书

本发明提供一种硅晶片清洗剂，涉及硅晶片领域，所述硅晶片清洗剂包括重量份数的如下组分：20‑30份的基底材料，10‑15份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，6‑10份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，2‑5份的杀菌剂，2‑5份的二乙二醇、1‑3份的消泡剂、5‑8份的硅酸盐类抗氧化剂和30‑40份的纯水；此外，还提供了硅晶片清洗剂的制备方法，包括：加入低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚和高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，搅拌至均匀，得到基底溶液；向基底溶液中边搅拌边加入纯水；向反应容器中加入剩余材料，搅拌均匀，得到最终成品；通过上述技术方案，解决现有技术中硅晶片清洗剂中涉及到多种包含钠的金属离子，清洗结束后容易产生金属离子残留，从而影响清洗效果的问题。

技术领域

本发明涉及硅晶片领域，特别是涉及一种硅晶片清洗剂及其制备方法。

背景技术

硅晶片具有良好的光电效应，是太阳能电池的主要材料，但在其加工过程中，往往有一些有机物、金属残渣的杂质附着在硅晶片表面而影响其工作性能，降低太阳能的转化率，因而，硅晶片需进行表面清洁。

目前，国内公开利用了一种硅晶片清洗剂及其制备方法(公布号：CN105907489A)，其包括：氢氧化钠3-9份、无水碳酸钠2-8份、偏硅酸钠3-9份、乙二胺四乙酸二钠5-8份、琥珀酸二辛酯磺酸钠2-6份、OP-102-5份、十二烷基苯磺酸钠4-9份、全氟己基乙酸盐表面活性剂3-9份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠2-7份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵1-4份、吐温804-9份、聚乙二醇3-6份、三乙醇胺1-3份、正丁醇2-5份、异丙醇1-4份、去离子水 10-20份。

这种硅晶片清洗剂中涉及到多种包含钠的金属离子，清洗结束后容易产生金属离子残留，从而影响清洗效果。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种硅晶片清洗剂，用于解决现有技术中硅晶片清洗剂中涉及到多种包含钠的金属离子，清洗结束后容易产生金属离子残留，从而影响清洗效果的问题，同时，本发明还将提供硅晶片清洗剂的制备方法。

为实现上述目的及其他相关目的，

本发明的第一方面，提供一种硅晶片清洗剂，所述硅晶片清洗剂包括重量份数的如下组分：20-30份的基底材料，10-15份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，6-10份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，2-5份的杀菌剂，2-5份的二乙二醇、1-3份的消泡剂、5-8份的硅酸盐类抗氧化剂和30-40份的纯水。

通过上述技术方案，选用了两种不同HLB值的脂肪醇聚氧乙烯醚，利用不同HLB值的脂肪醇聚氧乙烯醚的亲水亲油特性分别对硅晶片表面的水溶性或不溶于水的离子进行针对性处理，以其代替常规的强碱性物质，此外，还添加了基底材料作为基底清洗试剂，添加了消泡剂避免最终的硅晶片清洗剂严重起泡。

于本发明的一实施例中，所述硅晶片清洗剂包括重量份数的如下组分：20份的基底材料，10份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，8份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，2份的杀菌剂，5 份的二乙二醇、1份的消泡剂、5份的硅元素抗氧化剂和40份的纯水。

于本发明的一实施例中，所述基底材料为环氧乙烷。

通过上述技术方案，环氧乙烷是能够取代氢原子的活泼化合物，其很容易发生加成反应而加成聚合为醚类表面活性剂。

于本发明的一实施例中，所述低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚的HLB值为2～3，所述高HLB 值脂肪醇聚氧乙烯醚的HLB值为14～15。

通过上述技术方案，HLB值为2～3的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚亲油性较强，属于亲油性表面活性剂，针对于不溶于水的杂质有良好的清洁效果，HLB值为14～15的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚亲水性较强，属于亲水性表面活性剂，针对于溶于水的杂质有良好的清洁效果，两种脂肪醇聚氧乙烯醚共同作用，能够提升对硅晶片表面的清洁力。