[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底，包括器件区域和围绕所述器件区域的环形区域；

前侧互连结构，设置在所述衬底上方并且包括前侧互连区域和前侧密封环区域；以及

背侧互连结构，设置在所述衬底之下并且包括背侧互连区域和背侧密封环区域，

其中，所述前侧互连区域设置在所述器件区域上方，并且所述背侧互连区域设置在所述器件区域之下，

其中，所述前侧密封环区域设置在所述环形区域上方，并且所述背侧密封环区域设置在所述环形区域之下。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中，所述前侧密封环区域包括完全围绕所述前侧互连区域延伸的多个前侧导电环。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中，所述背侧密封环区域包括完全围绕所述背侧互连区域延伸的多个背侧导电环。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中，所述环形区域包括完全围绕所述器件区域延伸的多个源极/漏极接触件环。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，

其中，所述背侧密封环区域包括多个背侧接触件环，

其中，所述多个背侧接触件环中的每个电耦合和物理耦合到所述多个源极/漏极接触件环中的至少一个。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，多个背侧接触件环中的每个完全围绕所述背侧互连区域延伸。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述背侧密封环区域还包括与所述多个背侧接触件环相邻的最顶部金属层和远离所述多个背侧接触件环的最底部金属层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，还包括：

第一钝化层，设置在所述最底部金属层之下并且与所述最底部金属层接触；

第二钝化层，设置在所述第一钝化层之下并且与所述第一钝化层接触；以及

至少一个背侧接触焊盘环，设置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间。

9.一种半导体结构，包括：

衬底，包括器件区域和围绕所述器件区域的环形区域；

前侧互连结构，设置在所述衬底上方；

背侧互连结构，设置在所述衬底之下，

第一背侧钝化层，设置在所述背侧互连结构之下；以及

背侧焊盘环，设置在所述第一背侧钝化层之下，

其中，所述背侧焊盘环完全围绕所述器件区域的垂直投影延伸。

10.一种半导体结构，包括：

衬底，包括器件区域和围绕所述器件区域的环形区域；

前侧互连结构，设置在所述衬底上方；以及

背侧互连结构，设置在所述衬底之下并且包括背侧互连区域和背侧密封环区域，

其中，所述背侧互连区域设置在所述器件区域之下，

其中，所述背侧密封环区域设置在所述环形区域之下。