[发明专利]半导体结构

说明书

提供具有双侧密封环的半导体结构。根据本发明的半导体结构包括：包括器件区域和围绕器件区域的环形区域的衬底；设置在衬底上方并且包括前侧互连区域和前侧密封环区域的前侧互连结构；以及设置在衬底之下并且包括背侧互连区域和背侧密封环区域的背侧互连结构。前侧互连区域设置在器件区域上方，并且背侧互连区域设置在器件区域之下。前侧密封环区域设置在环形区域上方，并且背侧密封环区域设置在环形区域之下。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体结构。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了指数级增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这样的按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性。

由于切单期间的雾侵入或应力，晶体管的结构可能容易受到损坏。已经实施了密封结构来保护半导体器件。尽管现有的密封结构对于它们的预期目的通常是令人满意的，但它们并非在所有方面都令人满意。

发明内容

本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括器件区域和围绕所述器件区域的环形区域；前侧互连结构，设置在所述衬底上方并且包括前侧互连区域和前侧密封环区域；以及背侧互连结构，设置在所述衬底之下并且包括背侧互连区域和背侧密封环区域，其中，所述前侧互连区域设置在所述器件区域上方，并且所述背侧互连区域设置在所述器件区域之下，其中，所述前侧密封环区域设置在所述环形区域上方，并且所述背侧密封环区域设置在所述环形区域之下。

本发明的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括器件区域和围绕所述器件区域的环形区域；前侧互连结构，设置在所述衬底上方；背侧互连结构，设置在所述衬底之下，第一背侧钝化层，设置在所述背侧互连结构之下；以及背侧焊盘环，设置在所述第一背侧钝化层之下，其中，所述背侧焊盘环完全围绕所述器件区域的垂直投影延伸。

本发明的又一些实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括器件区域和围绕所述器件区域的环形区域；前侧互连结构，设置在所述衬底上方；以及背侧互连结构，设置在所述衬底之下并且包括背侧互连区域和背侧密封环区域，其中，所述背侧互连区域设置在所述器件区域之下，其中，所述背侧密封环区域设置在所述环形区域之下。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明。需要强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据本发明的一个或多个方面的包括衬底、前侧互连结构和背侧互连结构的集成电路(IC)芯片的截面图。

图2示出了根据本发明的一个或多个方面的图1中的衬底的俯视图。

图3示出了根据本发明的一个或多个方面的图1中的前侧互连结构的前侧俯视图。

图4示出了根据本发明的一个或多个方面的图1中的背侧互连结构的背侧俯视图。

图5示出了根据本发明的一个或多个方面的设置在图3中衬底的环形区域的上方和之下的互连结构的部分的放大局部截面图。

图6至图8各自示出了根据本发明的一个或多个方面的衬底的环形区域、前侧环形区域和背侧环形区域的界面的放大局部截面图。

图9示出了根据本发明的一个或多个方面的位于图1中的前侧互连结构上方的前侧焊盘环的前侧俯视图。

图10示出了根据本发明的一个或多个方面的位于图1中的前侧互连结构上方的前侧聚酰亚胺层的前侧俯视图。