[发明专利]硅氧负极材料、负极极片、锂电池及其制备方法

权利要求书

1.一种制备Si@SiO₂中空核壳结构硅氧负极材料的方法，所述方法包括如下步骤：

采用Si粉作为原料，在气氛炉中通入一定的气体，控制升温速率为6-15℃min^-1，将热处理温度升高至850-1100℃，然后保持4-12小时，制备得到Si@SiO₂中空核壳结构硅氧负极材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述Si粉纯度不低于99.9wt.％。所述Si粉的粒径范围为0.1μm-2.0μm。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：通入的气体是含氧气的气体。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：通入的气体是空气、或Ar气与氧气的混合气体、或Ar气与N₂和氧气的混合气体。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：通入的气体为含有氧元素的气体。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：通入的含有氧元素的气体是二氧化碳气体。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述升温速率为6-15℃min^-1。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述升温速率为10℃min^-1。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：热处理温度控制在900-1000℃。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：热处理温度控制在950℃。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于：热处理时间控制在5-10小时。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：热处理时间控制在8小时。

13.采用权利要求1-12任一项所述的方法制备的Si@SiO₂中空核壳结构硅氧负极材料。

14.采用权利要求13制备的Si@SiO₂中空核壳结构硅氧负极材料所制备的负极极片。

15.如权利要求14所述的负极极片，其特征在于，所述负极极片的制备方法如下：将Si@SiO₂中空核壳结构硅氧负极材料、商用碳负极、导电添加剂，以及溶于N-甲基吡咯烷酮(NMP)的聚偏氟乙烯(PVDF)混合并研磨均匀，将混合后的浆料涂布在单面抛光铜箔上，真空干燥。

16.采用权利要求14-15任一项所述的负极极片所制备的锂离子电池。

17.权利要求13所制备的Si@SiO₂中空核壳结构硅氧负极材料在锂离子电池领域的应用。