[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

第1电极；

半导体部件，所述半导体部件包含第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域和所述第1导电型的第3半导体区域，

所述第1半导体区域处于所述第1电极与所述第3半导体区域之间，所述第1半导体区域包含第1部分区域、第2部分区域及第3部分区域，

所述第2半导体区域处于所述第1半导体区域与所述第3半导体区域之间，

所述第3半导体区域包含第1半导体部分及第2半导体部分，从所述第1半导体部分朝向所述第2半导体部分的第2方向与从所述第1电极朝向所述第3半导体区域的第1方向交叉，

所述第2半导体区域包含第3半导体部分及第4半导体部分，从所述第3半导体部分朝向所述第4半导体部分的方向沿着所述第2方向，

所述第3半导体部分在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第1半导体部分之间，

所述第4半导体部分在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第2半导体部分之间，

所述第3部分区域在所述第2方向上的位置处于所述第1部分区域在所述第2方向上的位置与所述第2部分区域在所述第2方向上的位置之间；

第2电极，与所述第3半导体区域电连接；

第3电极，包含第1电极部分，所述第1电极部分在所述第2方向上处于所述第1半导体部分与所述第2半导体部分之间、及所述第3半导体部分与所述第4半导体部分之间；

第1导电部件，包含第1导电区域、第2导电区域及第3导电区域，所述第1导电区域在所述第2方向上处于所述第1部分区域与所述第2部分区域之间，所述第1导电区域在所述第1方向上的位置处于所述第3部分区域在所述第1方向上的位置与所述第1电极部分在所述第1方向上的位置之间，所述第2导电区域在与包含所述第1方向及所述第2方向在内的平面交叉的第3方向上处于所述第1导电区域与所述第3导电区域之间；

连接部件，与所述第1导电部件电连接，从所述第3导电区域朝向所述连接部件的方向沿着所述第1方向；

第1部件，在所述第3方向上设置于所述第1电极部分与所述连接部件之间，所述第2导电区域在所述第1方向上的位置处于所述第3部分区域在所述第1方向上的位置与所述第1部件在所述第1方向上的位置之间，所述第1部件包含与所述第2导电区域所包含的元素不同的元素；以及

绝缘部件，设置于所述半导体部件与所述第3电极之间、所述半导体部件与所述第1导电部件之间、所述第1导电部件与所述第3电极之间、及所述第1导电部件与所述第1部件之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2导电区域包含第1元素，

所述第1部件包含所述第1元素及第2元素，

所述第1元素包含第3元素及第4元素中的一方，

所述第2元素包含所述第3元素及所述第4元素中的另一方，

所述第3元素包含从由磷、砷及锑构成的组中选择出的至少1个，

所述第4元素包含从由硼、铝及镓构成的组中选择出的至少1个。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第2导电区域及所述第1部件包含硅。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第3电极还包含第2电极部分，

所述第2电极部分在所述第2方向上处于所述第1电极部分与所述第2半导体部分之间、及所述第1电极部分与所述第4半导体部分之间，

所述绝缘部件的一部分处于所述第1电极部分与所述第2电极部分之间。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

还具有第2部件，

所述第2部件在所述第3方向上设置于所述第2电极部分与所述连接部件之间，

所述第2部件包含与所述第2导电区域所包含的所述元素不同的元素，

所述绝缘部件的一部分设置于所述第2导电区域与所述第2部件之间。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第1导电区域在第2方向上的位置处于所述第1电极部分在所述第2方向上的位置与所述第2电极部分在所述第2方向上的位置之间。