[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

提供能够减少损耗的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含第1～第3电极、半导体部件、第1导电部件、连接部件、第1部件及绝缘部件。连接部件与第1导电部件电连接。第1部件设置于第3电极的第1电极部分与连接部件之间。第2导电区域在第1方向上的位置处于第3部分区域在第1方向上的位置与第1部件在第1方向上的位置之间。第1部件包含与第2导电区域所包含的元素不同的元素。

相关申请的交叉引用

本申请以日本专利申请2021-204761(申请日2021年12月17日)为基础，享有该申请的优先权。本申请通过参照该申请，从而包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

例如，在晶体管等半导体装置中，希望减少损耗。

发明内容

本发明的实施方式提供能够减少损耗的半导体装置及其制造方法。

根据本发明的实施方式，半导体装置包含第1电极、第2电极、第3电极、半导体部件、第1导电部件、连接部件、第1部件及绝缘部件。所述半导体部件包含第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域和所述第1导电型的第3半导体区域。所述第1半导体区域处于所述第1电极与所述第3半导体区域之间。所述第1半导体区域包含第1部分区域、第2部分区域及第3部分区域。所述第2半导体区域处于所述第1半导体区域与所述第3半导体区域之间。所述第3半导体区域包含第1半导体部分及第2半导体部分。从所述第1半导体部分朝向所述第2半导体部分的第2方向与从所述第1电极朝向所述第3半导体区域的第1方向交叉。所述第2半导体区域包含第3半导体部分及第4半导体部分。从所述第3半导体部分朝向所述第4半导体部分的方向沿着所述第2方向。所述第3半导体部分在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第1半导体部分之间。所述第4半导体部分在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第2半导体部分之间。所述第3部分区域在所述第2方向上的位置处于所述第1部分区域在所述第2方向上的位置与所述第2部分区域在所述第2方向上的位置之间。所述第2电极与所述第3半导体区域电连接。所述第3电极包含第1电极部分。所述第1电极部分在所述第2方向上处于所述第1半导体部分与所述第2半导体部分之间、及所述第3半导体部分与所述第4半导体部分之间。所述第1导电部件包含第1导电区域、第2导电区域及第3导电区域。所述第1导电区域在所述第2方向上处于所述第1部分区域与所述第2部分区域之间。所述第1导电区域在所述第1方向上的位置处于所述第3部分区域在所述第1方向上的位置与所述第1电极部分在所述第1方向上的位置之间。所述第2导电区域在与包含所述第1方向及所述第2方向在内的平面交叉的第3方向上处于所述第1导电区域与所述第3导电区域之间。所述连接部件与所述第1导电部件电连接。从所述第3导电区域朝向所述连接部件的方向沿着所述第1方向。所述第1部件在所述第3方向上设置于所述第1电极部分与所述连接部件之间。所述第2导电区域在所述第1方向上的位置处于所述第3部分区域在所述第1方向上的位置与所述第1部件在所述第1方向上的位置之间。所述第1部件包含与所述第2导电区域所包含的元素不同的元素。所述绝缘部件设置于所述半导体部件与所述第3电极之间、所述半导体部件与所述第1导电部件之间、所述第1导电部件与所述第3电极之间、及所述第1导电部件与所述第1部件之间。

根据上述结构的构造体，能够提供能够减少损耗的半导体装置及其制造方法。

附图说明

图1是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖视图。

图2是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖视图。

图3是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖视图。

图4是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖视图。

图5是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖视图。