[发明专利]曝光装置、接合装置及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202210805100.6 | 申请日: | 2022-07-08 |
公开(公告)号: | CN116266034A | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 水田吉郎 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/68;H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 接合 半导体 制造 方法 | ||
1.一种曝光装置,经由投影光学系统通过照明光将基板曝光,其具有:
台,保持上述基板;
测量装置,测量上述基板的至少3处对准标记;以及
控制装置,基于上述测量装置的测量结果使上述台移动,控制对于上述基板的曝光位置;
上述控制装置在上述基板的曝光处理中,
基于上述至少3处对准标记的测量结果,分别计算与第1方向的倍率成分的位置偏差对应的第1修正系数、以及与相对于上述第1方向相交的第2方向的倍率成分的位置偏差对应的第2修正系数;
在应用了第1设定的情况下,在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第1修正系数,并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于上述第1修正系数的第3修正系数;
在应用了第2设定的情况下,在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于上述第2修正系数的第4修正系数,并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第2修正系数。
2.如权利要求1所述的曝光装置,其中,
上述第1设定包括上述第1修正系数与上述第3修正系数的比例的设定;上述第2设定包括上述第2修正系数与上述第4修正系数的比例的设定。
3.如权利要求1或2所述的曝光装置,其中,
上述控制装置在上述曝光处理中,
基于上述至少3处对准标记的测量结果,分别计算与上述第1方向的正交度成分的位置偏差对应的第5修正系数、以及与上述第2方向的正交度成分的位置偏差对应的第6修正系数;
在应用了上述第1设定的情况下,在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第5修正系数,并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第5修正系数的第7修正系数;
在应用了上述第2设定的情况下,在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第6修正系数的第8修正系数,并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第6修正系数。
4.如权利要求3所述的曝光装置,其中,
上述第1设定包括上述第5修正系数与上述第7修正系数的比例的设定;上述第2设定包括上述第6修正系数与上述第8修正系数的比例的设定。
5.一种半导体装置的制造方法,其具有以下步骤:
测量基板上的至少3处对准标记;
基于上述至少3处对准标记的测量结果,分别计算与第1方向的倍率成分的位置偏差对应的第1修正系数、以及与相对于上述第1方向相交的第2方向的倍率成分的位置偏差对应的第2修正系数;
在对于上述基板的曝光处理中应用了第1设定的情况下,在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第1修正系数,并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于上述第1修正系数的第3修正系数,将上述基板曝光;
在上述曝光处理中应用了第2设定的情况下,在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于上述第2修正系数的第4修正系数,并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第2修正系数,将上述基板曝光。
6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其中,
还具有以下步骤:
基于上述至少3处对准标记的测量结果,分别计算与上述第1方向的正交度成分的位置偏差对应的第5修正系数、以及与上述第2方向的正交度成分的位置偏差对应的第6修正系数;
在对上述曝光处理应用了上述第1设定的情况下,在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第5修正系数,并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第5修正系数的第7修正系数;
在对上述曝光处理应用了上述第2设定的情况下,在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第6修正系数的第8修正系数,并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第6修正系数。
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