[发明专利]曝光装置、接合装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202210805100.6 申请日: 2022-07-08
公开(公告)号: CN116266034A 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 水田吉郎 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/68;H01L21/66;H01L23/544
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 曝光 装置 接合 半导体 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种曝光装置,经由投影光学系统通过照明光将基板曝光,其具有:

台,保持上述基板;

测量装置,测量上述基板的至少3处对准标记;以及

控制装置,基于上述测量装置的测量结果使上述台移动,控制对于上述基板的曝光位置;

上述控制装置在上述基板的曝光处理中,

基于上述至少3处对准标记的测量结果,分别计算与第1方向的倍率成分的位置偏差对应的第1修正系数、以及与相对于上述第1方向相交的第2方向的倍率成分的位置偏差对应的第2修正系数;

在应用了第1设定的情况下,在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第1修正系数,并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于上述第1修正系数的第3修正系数;

在应用了第2设定的情况下,在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于上述第2修正系数的第4修正系数,并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第2修正系数。

2.如权利要求1所述的曝光装置,其中,

上述第1设定包括上述第1修正系数与上述第3修正系数的比例的设定;上述第2设定包括上述第2修正系数与上述第4修正系数的比例的设定。

3.如权利要求1或2所述的曝光装置,其中,

上述控制装置在上述曝光处理中,

基于上述至少3处对准标记的测量结果,分别计算与上述第1方向的正交度成分的位置偏差对应的第5修正系数、以及与上述第2方向的正交度成分的位置偏差对应的第6修正系数;

在应用了上述第1设定的情况下,在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第5修正系数,并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第5修正系数的第7修正系数;

在应用了上述第2设定的情况下,在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第6修正系数的第8修正系数,并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第6修正系数。

4.如权利要求3所述的曝光装置,其中,

上述第1设定包括上述第5修正系数与上述第7修正系数的比例的设定;上述第2设定包括上述第6修正系数与上述第8修正系数的比例的设定。

5.一种半导体装置的制造方法,其具有以下步骤:

测量基板上的至少3处对准标记;

基于上述至少3处对准标记的测量结果,分别计算与第1方向的倍率成分的位置偏差对应的第1修正系数、以及与相对于上述第1方向相交的第2方向的倍率成分的位置偏差对应的第2修正系数;

在对于上述基板的曝光处理中应用了第1设定的情况下,在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第1修正系数,并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于上述第1修正系数的第3修正系数,将上述基板曝光;

在上述曝光处理中应用了第2设定的情况下,在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于上述第2修正系数的第4修正系数,并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第2修正系数,将上述基板曝光。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其中,

还具有以下步骤:

基于上述至少3处对准标记的测量结果,分别计算与上述第1方向的正交度成分的位置偏差对应的第5修正系数、以及与上述第2方向的正交度成分的位置偏差对应的第6修正系数;

在对上述曝光处理应用了上述第1设定的情况下,在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第5修正系数,并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第5修正系数的第7修正系数;

在对上述曝光处理应用了上述第2设定的情况下,在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第6修正系数的第8修正系数,并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第6修正系数。

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