[发明专利]曝光装置、接合装置及半导体装置的制造方法

说明书

曝光装置包括台(140)、测量装置(144)和控制装置(10)。控制装置(10)在基板的曝光处理中，基于至少3处对准标记的测量结果，分别计算与第1方向的倍率成分的位置偏差对应的第1修正系数以及与第2方向的倍率成分的位置偏差对应的第2修正系数。控制装置(10)在应用了第1设定的情况下，在第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用第1修正系数，并且在第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于第1修正系数的第3修正系数。控制装置(10)在应用了第2设定的情况下，在第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于第2修正系数的第4修正系数，并且在第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用第2修正系数。

本申请基于2021年12月16日提出申请的先行的日本专利申请第2021－204292号主张优先权，这里通过引用包含其全部内容。

技术领域

本发明涉及曝光装置、接合装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

已知将半导体电路基板三维地层叠的三维层叠技术。

发明内容

本发明的目的是改善半导体装置的成品率。

技术方案的曝光装置经由投影光学系统通过照明光将基板曝光。曝光装置包括台、测量装置和控制装置。台保持基板。测量装置测量基板的至少3处对准标记。控制装置基于测量装置的测量结果使台移动，控制对于基板的曝光位置。控制装置在基板的曝光处理中，基于至少3处对准标记的测量结果，分别计算与第1方向的倍率成分的位置偏差对应的第1修正系数、以及与相对于第1方向相交的第2方向的倍率成分的位置偏差对应的第2修正系数。控制装置在应用了第1设定的情况下，在第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用第1修正系数，并且在第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于第1修正系数的第3修正系数。控制装置在应用了第2设定的情况下，在第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于第2修正系数的第4修正系数，并且在第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用第2修正系数。

根据上述的结构，能够改善半导体装置的成品率。

附图说明

图1是表示半导体装置的制造方法的概要的概略图。

图2是表示在半导体装置的制造工序中可能产生的重合偏差成分的一例的示意图。

图3是表示在半导体装置的制造工序中使用的对准标记的配置的一例的示意图。

图4是表示在半导体装置的制造工序中使用的曝光装置及接合装置的晶圆面内的重合偏差成分的修正性能的一例的表。

图5是表示有关第1实施方式的曝光装置的结构的一例的框图。

图6是表示有关第1实施方式的曝光装置的曝光处理的一例的流程图。

图7是表示在有关第1实施方式的曝光装置中使用的曝光配方的一例的表。

图8是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了通常模式的对准修正的情况下的晶圆倍率的重合偏差的变化的一例的示意图。

图9是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了通常模式的对准修正的情况下的晶圆倍率的重合偏差的变化的一例的示意图。

图10是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了X重视模式的对准修正的情况下的晶圆倍率的重合偏差的变化的一例的示意图。

图11是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了Y重视模式的对准修正的情况下的晶圆倍率的重合偏差的变化的一例的示意图。

图12是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了通常模式的对准修正的情况下的晶圆正交度的重合偏差的变化的一例的示意图。