[发明专利]一种金属化电路基板的阶梯图形蚀刻方法

权利要求书

1.一种金属化电路基板的阶梯图形蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)线路图形曝光；(2)产品显影；(3)再次曝光；(4)线路蚀刻；(5)氢氧化钠显影；(6)再次蚀刻；(7)有机剥除剂清洗。

2.根据权利要求1所述的金属化电路基板的阶梯图形蚀刻方法，其特征在于：所述步骤(2)中，采用纯碱显影液将图形的标记点清晰显影出来。

3.根据权利要求1所述的金属化电路基板的阶梯图形的蚀刻方法，其特征在于：所述步骤(3)中，利用所述标记点保护线路图形，采用高能量曝光机，使用标记点的CCD定位，使用800～1300MJ能量曝光，误差控制在30微米以内。

4.根据权利要求1所述的金属化电路基板的阶梯图形的蚀刻方法，其特征在于：所述步骤(4)，具体方法为，采用蚀刻生产的带速控制在2000-2350mm/min，上喷淋压力控制在0.25MPa-0.3MPa，下喷淋控制在0.2MPa-0.25MPa。

5.根据权利要求1所述的金属化电路基板的阶梯图形的蚀刻方法，其特征在于：所述步骤(5)中，利用氢氧化钠显影，将阶梯蚀刻处保护层显影去除。

6.根据权利要求1所述的金属化电路基板的阶梯图形的蚀刻方法，其特征在于：所述步骤(6)，具体方法为，调节蚀刻带速控制在900-1050mm/min,上喷淋压力控制在0.2MPa-0.25MPa，下喷淋控制在0.18MPa-0.22MPa。

7.根据权利要求1所述的金属化电路基板的阶梯图形的蚀刻方法，其特征在于：所述步骤(7)中，使用有机剥除剂清洗，对残留在产品上的保护层进行去除。

8.根据权利要求7所述的金属化电路基板的阶梯图形的蚀刻方法，其特征在于：所述有机剥除剂为二乙二醇丁醚与丙二醇甲醚的混合溶剂。