[发明专利]一种金属化电路基板的阶梯图形蚀刻方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种金属化电路基板的阶梯图形蚀刻方法，具体包括以下步骤：(1)线路图形曝光；(2)产品显影；(3)再次曝光；(4)线路蚀刻；(5)氢氧化钠显影；(6)再次蚀刻；(7)有机剥除剂清洗。本发明的阶梯蚀刻方法工艺简单，不需要两次贴膜，则可以完全保留常规金属化电路板所具有的产品性能，并可以完全规避二次贴膜带来的不良缺陷，本发明优化了生产工艺，大大节省了生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体领域为一种金属化电路基板的阶梯图形蚀刻方法。

背景技术

随着新能源产业技术的发展，对大功率半导体功率器件的需求不断增加。金属化电路基板作为半导体功率模块中的关键组成部分，其趋势向使用阶梯图形代替应力孔的电路设计。此电路设计可以抵抗金属化电路基板的老化问题，同时，对金属化电路基板的应力释放效果更好，对于进一步改善大功率电路模块的使用性能，有着积极的效果。在金属化电路基板的芯片定位问题上，使用阶梯蚀刻可以更加精准的提高芯片的定位效率。但是对于金属化电路基板的阶梯图形，不能用普通曝光显影蚀刻来生产。

常规的阶梯图形生产工艺，是采用先贴膜、曝光、显影、蚀刻、退膜，完成第一次蚀刻。经过化学处理后，进行二次贴膜，再次曝光、显影、蚀刻、退膜，完成第二次蚀刻。经过两次贴膜之后，通过第一次图形上的标记点对位第二次曝光。这样生产的缺点是，二次贴膜过程复杂，制作成本高，并且无法做到与常规金属化电路板一样的产品性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种金属化电路基板的阶梯图形蚀刻方法，以解决现有技术中需要两次贴膜生产以及对位存在误差等问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种金属化电路基板的阶梯图形蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)线路图形曝光；(2)产品显影；(3)再次曝光；(4)线路蚀刻；(5)氢氧化钠显影；(6)再次蚀刻；(7)有机剥除剂清洗。

优选的，所述步骤(2)中，采用纯碱显影液将图形的标记点清晰显影出来。

优选的，所述步骤(3)中，利用所述标记点保护线路图形，采用高能量曝光机，使用标记点的CCD定位，使用800～1300MJ能量曝光，误差控制在30微米以内。

优选的，所述步骤(4)，具体方法为，采用蚀刻生产的带速控制在2000-2350mm/min，上喷淋压力控制在0.25MPa-0.3MPa，下喷淋控制在0.2MPa-0.25MPa。

优选的，所述步骤(5)中，利用氢氧化钠显影，将阶梯蚀刻处保护层显影去除。

优选的，所述步骤(6)，具体方法为，调节蚀刻带速控制在900-1050mm/min,上喷淋压力控制在0.2MPa-0.25MPa，下喷淋控制在0.18MPa-0.22MPa。

优选的，所述步骤(7)中，使用有机剥除剂清洗，对残留在产品上的保护层进行去除。

其中，所述有机剥除剂为二乙二醇丁醚与丙二醇甲醚的混合溶剂。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

(1)本发明方法的工艺简单，对金属化电路基板的电路，其电路的完整性，完全保留常规金属化电路板的产品性能，完全避免了现有工艺二次贴膜，引起的蚀刻线路不平滑的问题。

(2)完全规避了二次贴膜生产所带来的产品不良缺陷。

(3)从节省成本的角度考虑，本发明不用再次增加对产品的化学处理过程，不用进行二次贴膜过程，更加节省成本。

附图说明

图1为本发明的产品的生产流程示意图；

图2为现有工艺的生产流程示意图。