[发明专利]一种微发光二极管的巨量转移方法及显示装置在审
申请号: | 202210806058.X | 申请日: | 2022-07-08 |
公开(公告)号: | CN115083987A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 李金鹏;杨志富;初宇天;王乐;谢跃贤;周旗旗;齐嘉城;孙亮;董恩凯;赵明海;王立强 | 申请(专利权)人: | 京东方晶芯科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L25/075 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张佳 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 巨量 转移 方法 显示装置 | ||
1.一种微发光二极管的巨量转移方法,其特征在于,包括:
提供一粘接有多个微发光二极管的中载基板,以及开设有多个焊盘的显示基板;
将所述中载基板粘接有所述多个微发光二极管的一侧置于所述显示基板开设有所述多个焊盘的一侧的上方进行对位;
在对所述中载基板施加压力的过程中,从所述中载基板上方采用激光照射所述中载基板,使被照射位置处的所述微发光二极管剥离至所述显示基板。
2.如权利要求1所述的巨量转移方法,其特征在于,所述提供一粘接有多个微发光二极管的中载基板,包括:
获取所述显示基板上各个所述焊盘的坐标位置;
将所述中载基板与双面胶贴合;
按照所述坐标位置将所述多个微发光二极管置于所述双面胶背离所述中载基板的一侧,使所述中载基板粘接所述多个微发光二极管。
3.如权利要求2所述的巨量转移方法,其特征在于,所述双面胶包括依次背离所述中载基板的第一胶材层和第二胶材层,其中,所述第二胶材层用于粘接所述多个微发光二极管,在从所述中载基板上方采用激光照射所述中载基板过程中,所述第二胶材层失去粘性,使被照射位置处的所述微发光二极管从所述中载基板上剥离至所述显示基板。
4.如权利要求3所述的巨量转移方法,其特征在于,所述激光为红外激光。
5.如权利要求4所述的巨量转移方法,其特征在于,所述双面胶还包括位于所述第一胶材层和所述第二胶材层之间的基材层。
6.如权利要求5所述的巨量转移方法,其特征在于,在将所述微发光二极管从所述中载基板上剥离至所述显示基板之后,所述方法还包括:
将所述双面胶从所述中载基板上剥离。
7.如权利要求3所述的巨量转移方法,其特征在于,在将所述微发光二极管从所述中载基板上剥离至所述显示基板之后,所述方法还包括:
将所述第一胶材层和所述第二胶材层中至少一层留在所述显示基板上,且复用为所述显示基板的光学膜层。
8.如权利要求1-7任一项所述的巨量转移方法,其特征在于,在从所述中载基板上方采用激光照射所述中载基板之后,所述方法还包括:
间隔第一预设时长之后,停止激光照射所述中载基板;
在第二预设时长之后,去除施加在所述中载基板上的所述压力。
9.如权利要求2-7任一项所述的巨量转移方法,其特征在于,在所述按照所述坐标位置将所述多个微发光二极管置于所述双面胶背离所述中载基板的一侧之后,所述方法还包括:
将所述中载基板粘接有所述多个微发光二极管的一侧置于容置有助焊剂的容器内,使各个所述微发光二极管的绑定电极上留有所述助焊剂。
10.一种中载基板,其特征在于,包括:
基底以及贴合在所述基底表面的双面胶,所述双面胶包括依次背离所述基底的第一胶材层和第二胶材层,所述第二胶材层用于粘接多个微发光二极管,所述第二胶材层粘性可变。
11.如权利要求10所述的中载基板,其特征在于,所述双面胶还包括位于所述第一胶材层和所述第二胶材层之间的基材层。
12.如权利要求10所述的中载基板,其特征在于,所述中载基板复用为所述显示基板的保护盖板。
13.一种显示装置,其特征在于,包括:
显示基板,所述显示基板包括采用如权利要求1-9任一项所述的巨量转移方法固定的所述多个微发光二极管。
14.如权利要求13所述的显示装置,其特征在于,还包括依次靠近所述显示基板的第一胶材层和第二胶材层,各个所述微发光二极管被部分所述第二胶材层包覆。
15.如权利要求14所述的显示装置,其特征在于,所述第一胶材层和所述第二胶材层中掺杂有透明扩散粒子,且所述第一胶材层和所述第二胶材层复用为所述显示基板的光学膜层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方晶芯科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经京东方晶芯科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210806058.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造