[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

堆叠结构，包括交替重复地堆叠在半导体衬底上的字线和层间介电图案；

半导体图案，分别设置在所述字线中的竖直相邻的字线之间；

位线，从所述半导体衬底竖直延伸并接触所述半导体图案；

封盖绝缘图案，设置在所述位线与所述字线之间，并覆盖所述层间介电图案的侧表面；以及

存储元件，分别设置在所述层间介电图案中的竖直相邻的层间介电图案之间，

其中，所述半导体图案中每一个包括接触所述位线的第一源/漏区、直接接触所述存储元件中的一个存储元件的第二源/漏区、以及位于所述第一源/漏区与所述第二源/漏区之间的沟道区，以及

所述第一源/漏区的最大宽度大于所述沟道区的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述位线与所述层间介电图案间隔开，所述封盖绝缘图案介于所述位线与所述层间介电图案之间。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：硅化物图案，共形地覆盖所述第一源/漏区的顶表面、底表面和一个侧表面并直接接触所述位线。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述硅化物图案与所述字线电分离。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

栅极绝缘层，介于所述沟道区与所述字线之间，

其中，所述栅极绝缘层直接接触所述封盖绝缘图案的侧表面，而不直接接触所述第一源/漏区。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述封盖绝缘图案的侧表面基本垂直于所述衬底的顶表面。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述封盖绝缘图案的侧表面和所述字线中的每一条的第一侧表面相对于所述字线中的每一条的相对的第二侧表面以一定角度倾斜。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述封盖绝缘图案在水平方向上的宽度随着距所述半导体衬底的竖直距离增加而恒定。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一源/漏区在所述第一源/漏区的中心部分处的宽度大于在所述第一源/漏区的端部处的宽度。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中：

所述第一源/漏区具有邻近所述位线的第一端部以及直接接触所述沟道区的第二端部；以及

所述第一源/漏区在所述第一端部处的宽度小于所述第一源/漏区在所述第二端部处的宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一源/漏区包括选自硼B、碳C和氟F中的至少一种杂质。

12.一种半导体存储器件，包括：

堆叠结构，包括交替重复地堆叠在半导体衬底上的字线和层间介电图案；

半导体图案，分别设置在所述字线中的竖直相邻的字线之间；

硅化物图案，覆盖所述半导体图案中的每一个的一部分；

位线，从所述半导体衬底竖直延伸并接触所述半导体图案；

封盖绝缘图案，设置在所述位线与所述字线之间，并覆盖所述层间介电图案的侧表面；

存储电极，分别设置在所述层间介电图案中的竖直相邻的层间介电图案之间；

电容器介电层，共形地覆盖所述存储电极的内表面；以及

板电极，填充由所述电容器介电层包围的空间，

其中，所述半导体图案中的每一个包括与所述位线接触的第一源/漏区、与所述存储电极中的一个存储电极直接接触的第二源/漏区、以及位于所述在第一源/漏区与所述第二源/漏区之间的沟道区，以及

所述硅化物图案覆盖所述第一源/漏区的一部分。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述硅化物图案与所述字线电分离。