[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，

具备存储单元阵列，

所述存储单元阵列具备在第1方向上排列的多个子阵列串，

所述多个子阵列串各自具备在与所述第1方向交叉的第2方向上排列的多个子阵列，

所述多个子阵列各自具备：

多个存储部，其在与所述第1方向以及所述第2方向交叉的第3方向上排列；

多个第1半导体层，其在所述第3方向上排列，与所述多个存储部电连接；

多个第1栅电极，其在所述第3方向上排列，分别与所述多个第1半导体层相对向；

第1布线，其在所述第3方向上延伸，与所述多个第1半导体层电连接；

多条第2布线，其在所述第3方向上排列，在所述第1方向上延伸，与所述多个第1栅电极连接；

多个第2半导体层，其在所述第3方向上排列，与所述多条第2布线的所述第1方向上的第1端部电连接；

多个第2栅电极，其在所述第3方向上排列，与所述多个第2半导体层相对向；以及

第3布线，其在所述第3方向上延伸，与所述多个第2半导体层电连接，

所述多个子阵列串各自具备多条第4布线，所述多条第4布线跨在所述第2方向上排列的所述多个子阵列中的至少两个而在所述第2方向上延伸，与所述多个第2栅电极中的至少两个连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

所述多条第4布线在所述第3方向上排列。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

所述多条第4布线在所述第1方向上排列。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

在沿着所述第1方向排列的所述多个子阵列中的至少两个之间，多条所述第3布线共通地电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

所述多个子阵列各自具备：

多个第3半导体层，其在所述第3方向上排列，与所述多条第2布线的所述第1方向上的第2端部电连接；

多个第3栅电极，其在所述第3方向上排列，与所述多个第3半导体层相对向；以及

第5布线，其在所述第3方向上延伸，与所述多个第3半导体层电连接，

所述多个子阵列串各自具备多条第6布线，所述多条第6布线跨在所述第2方向上排列的所述多个子阵列中的至少两个而在所述第2方向上延伸，与所述多个第3栅电极中的至少两个连接。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，

所述多条第6布线在所述第3方向上排列。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，

所述多条第6布线在所述第1方向上排列。

8.根据权利要求5所述的半导体存储器件，

在沿着所述第1方向排列的所述多个子阵列中的至少两个之间，多条所述第5布线共通地电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，具备：

多个感测放大器单元，其与所述多个子阵列对应地设置；和

多条信号供给线，其与所述多个子阵列对应地设置，

所述多个感测放大器单元各自具备共通地连接于所述多条信号供给线中的一条的多个放大电路，

所述多个放大电路构成为能够根据所述多条信号供给线中的一个信号来对所述第1布线的信号进行放大。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

所述多个存储部中的至少一个为电容器。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

所述多个第1半导体层分别与所述多个第1栅电极的所述第3方向上的一方侧以及另一方侧的面相对向。

12.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

所述多个第2半导体层中的至少一个与所述多个第2栅电极中的至少一个的所述第3方向上的一方侧以及另一方侧的面相对向。