[发明专利]存储器元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210811607.2 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116266575A | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 萧钏林 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H10B12/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制备 方法 | ||
1.一种存储器元件，包括：
一半导体基底，其定义有一主动区并包括延伸至该半导体基底中的一凹槽；以及
一字元线，设置在该凹槽内；
其中该字元线包括设置在该凹槽内的一绝缘层、由该绝缘层包围的一导电层，以及由该导电层包围的一导电构件，并且该绝缘层包括与该凹槽共形的一衬层部分和设置在该导电层上方的一突出部分。
2.如权利要求1所述的存储器元件，其中该衬层部分的一顶面和该突出部分的一顶面通过该半导体基底曝露。
3.如权利要求1所述的存储器元件，其中该突出部分与该导电层的一顶面接触。
4.如权利要求1所述的存储器元件，其中该突出部分设置在该导电构件之上。
5.如权利要求1所述的存储器元件，其中该衬层部分和该突出部分是整体形成，并且该衬层部分和该突出部分包括一相同材料。
6.如权利要求1所述的存储器元件，其中该绝缘层包括氧化物。
7.如权利要求1所述的存储器元件，其中该导电层包括氮化钛(TiN)或该导电构件包括钨(W)。
8.如权利要求1所述的存储器元件，其中该字元线包括设置在该导电层和该导电构件上方的一功函数构件，以及设置在该功函数构件上方的一栅极绝缘构件。
9.如权利要求8所述的存储器元件，其中该功函数构件和该栅极绝缘构件由该绝缘层包围。
10.如权利要求8所述的存储器元件，其中该功函数构件和该栅极绝缘构件与该突出部分接触。
11.如权利要求8所述的存储器元件，其中该导电层和该导电构件的一总宽度实质上等于该突出部分和该功函数构件的一总宽度。
12.如权利要求8所述的存储器元件，其中该导电层和该导电构件的一总宽度实质上等于该突出部分和该栅极绝缘构件的一总宽度。
13.如权利要求8所述的存储器元件，其中该功函数构件包括多晶硅，而栅极绝缘构件包括氮化物。
14.一种存储器元件，包括：
一半导体基底，其定义有一主动区并包括延伸至该半导体基底中的一第一凹槽；以及
一字元线，设置在该第一凹槽内；
其中该字元线包括设置在该第一凹槽内的一第一绝缘层、由该第一绝缘层包围的一第一导电层，以及由该第一导电层包围的一第一导电构件，并且该第一绝缘层至少部分地设置在该第一导电层之上。
15.如权利要求14所述的存储器元件，其中该第一绝缘层与该第一导电层的一顶面接触。
16.如权利要求14所述的存储器元件，其中该第一导电层之上的该第一绝缘层的一宽度实质上大于该第一导电层和该第一导电构件周围的该第一绝缘层的一宽度。
17.如权利要求14所述的存储器元件，更包括与该字元线相邻并延伸至该半导体基底中的一隔离结构、由该隔离结构包围的一第二导电层，以及由该第二导电层包围的一第二导电构件。
18.如权利要求17所述的存储器元件，其中该第二导电层之上的该隔离结构的一宽度实质上大于围绕该第二导电层和该第二导电构件的该隔离结构的一宽度。
19.如权利要求17所述的存储器元件，其中该第二导电层包括氮化钛(TiN)或钨(W)。
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