[发明专利]一种LED屏LED阵列封装制备工艺及应用在审
| 申请号： | 202210812896.8 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115440870A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 房顺金;李小强;汪静;张玉琪 | 申请（专利权）人： | 深圳市美成胶粘制品有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳市江凌专利代理事务所(普通合伙) 44814 | 代理人： | 左涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 阵列 封装 制备 工艺 应用 | ||
1.一种LED屏LED阵列封装制备工艺，其特征在于，包括：
在表层膜材的背面依次覆上热熔胶层和OCA层，形成用于覆盖LED阵列的面结构；
将面结构与LED阵列结构对正并贴合，得到LED屏半成品；
将LED屏半成品置于设定温度和设定真空度环境下进行压合处理；
对压合处理后的LED屏半成品进行除泡处理；
将LED屏半成品置于紫外光环境下进行照射处理；
进行切割处理得到LED屏成品。
2.根据权利要求1所述的LED屏LED阵列封装制备工艺，其特征在于：所述的在表层膜材的背面涂覆热熔胶层时，热熔胶层的厚度为90μm～250μm。
3.根据权利要求1或2所述的LED屏LED阵列封装制备工艺，其特征在于：所述的在表层膜材的背面涂覆OCA层时，OCA层的厚度为90μm～250μm。
4.根据权利要求1所述的LED屏LED阵列封装制备工艺，其特征在于：所述的将LED屏半成品置于设定温度环境下，该设定温度为70℃～95℃。
5.根据权利要求1所述的LED屏LED阵列封装制备工艺，其特征在于：所述的将LED屏半成品置于设定真空度环境下，该设定真空度为-0.1Pa～0.1Pa。
6.根据权利要求1所述的LED屏LED阵列封装制备工艺，其特征在于：所述的对压合处理后的LED屏半成品进行除泡处理，其中除泡的加工温度为70℃～85℃，工作气压为2～6MPa。
7.根据权利要求1所述的LED屏LED阵列封装制备工艺，其特征在于：设置的紫外光环境中，紫外光的波长为250nm～400nm，照射时长为10s～100s。
8.根据权利要求1或7所述的LED屏LED阵列封装制备工艺，其特征在于：产生紫外光环境的设备包括紫外灯。
9.根据权利要求1所述的LED屏LED阵列封装制备工艺，其特征在于：将面结构与LED阵列结构对正并贴合时，通过辊轮进行压紧贴合。
10.一种LED屏LED阵列封装制备工艺的应用，其特征在于：在封装LED阵列时，应用权利要求1～9中任一项所述的制备工艺。
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