[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成半导体层；

对所述半导体层进行P型掺杂，以将所述半导体层转换为初始掩膜层；

对所述初始掩膜层进行第一图形化处理，以形成具有开口的掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，并采用刻蚀工艺对所述基底进行第二图形化处理，所述刻蚀工艺对所述基底的刻蚀速率大于对所述掩膜层的刻蚀速率。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述初始掩膜层的材料包括硼硅化合物，且所述硼硅化合物中硼原子与硅原子的原子百分比的范围为1：1～3：2。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述初始掩膜层的消光系数小于0.45。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述初始掩膜层的消光系数的范围为0.34～0.44。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，沿所述基底指向所述初始掩膜层的方向上，所述初始掩膜层的厚度范围为400nm～460nm。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，进行所述采用刻蚀工艺对所述基底进行第二图形化处理的步骤之后，部分所述掩膜层被保留，沿所述基底指向所述初始掩膜层的方向上，被保留的所述掩膜层的厚度与所述初始掩膜层的厚度的比值范围为0.13～0.16。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，沿所述基底指向所述初始掩膜层的方向上，被保留的所述掩膜层的厚度范围为65nm～75nm。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述半导体层的步骤包括：

在所述基底上形成初始半导体层；

对所述初始半导体层进行N型掺杂或者P型掺杂，以将所述初始半导体层转换为所述半导体层。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述初始掩膜层上具有光刻标记；在所述采用第一刻蚀工艺对所述初始掩膜层进行第一图形化处理的步骤中，还包括：

提供具有所述开口的光罩，所述光罩上也具有所述光刻标记；

其中，所述光罩上的所述光刻标记与所述初始掩膜层上的所述光刻标记重合。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成所述初始掩膜层之后，在对所述初始掩膜层进行所述第一图形化处理之前，还包括：

在所述初始掩膜层远离所述基底的一侧依次堆叠形成第一掩膜层和第二掩膜层，所述第二掩膜层包括相邻的第一区和第二区；

利用所述光罩对所述第二区进行光照，使得被光照的所述第二区的膜层特性发生改变；

采用相同的刻蚀工艺对所述第一区和所述第二区进行刻蚀，且所述刻蚀工艺对所述第一区的刻蚀速率小于对所述第二区的刻蚀速率，以在去除所述第一区时，部分所述第二区被保留，以形成具有所述开口的所述第二掩膜层。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，对所述初始掩膜层进行所述第一图形化处理步骤包括：

以具有所述开口的所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第一掩膜层，以形成具有所述开口的所述第一掩膜层；

以具有所述开口的所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述初始掩膜层。

12.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，提供所述基底的步骤包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构用于形成电容接触孔；

对所述基底进行所述第二图形化处理的步骤包括：

以所述掩膜层为掩膜，采用所述刻蚀工艺对所述堆叠结构进行刻蚀，以形成所述电容接触孔。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，形成所述堆叠结构的步骤包括：在所述衬底上依次堆叠形成底部支撑层、第一介质层、中间支撑层、第二介质层以及顶部支撑层。