[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法

权利要求书

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

基底；

半导体层，设置在所述基底上并且包括第一区域和第二区域；

第一导电层，设置在所述半导体层上，并且包括与所述第一区域重叠的第一栅极图案和与所述第二区域重叠的第二栅极图案；以及

第一栅极绝缘层，设置在所述半导体层与所述第一导电层之间，并且包括与所述第一区域和所述第二区域重叠的第一绝缘层、与所述第一区域和所述第二区域重叠的第二绝缘层、以及不与所述第一区域重叠而与所述第二区域重叠的第三绝缘层，

其中，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层与所述第三绝缘层之间，并且具有比所述第三绝缘层的介电常数大的介电常数。

2.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述第二绝缘层具有比所述第一绝缘层的介电常数更大的介电常数。

3.根据权利要求2所述的显示装置，

其中，所述第一绝缘层包括氧化硅并且具有至的厚度，并且，

其中，所述第二绝缘层具有至的厚度。

4.根据权利要求3所述的显示装置，

其中，所述第一栅极绝缘层的与所述第一区域重叠的一部分的等效氧化物厚度小于所述第一栅极绝缘层的与所述第二区域重叠的一部分的等效氧化物厚度。

5.根据权利要求4所述的显示装置，

其中，所述第一栅极绝缘层的与所述第一区域重叠的所述一部分的所述等效氧化物厚度在至范围内，并且

所述第一栅极绝缘层的与所述第二区域重叠的所述一部分的所述等效氧化物厚度在至的范围内。

6.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述第二绝缘层的材料的原子间键能大于所述第三绝缘层的材料的原子间键能。

7.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

基底；

半导体层，设置在所述基底上并且包括第一区域和第二区域；

第一导电层，设置在所述半导体层上，并且包括与所述第一区域重叠的第一栅极图案和与所述第二区域重叠的第二栅极图案；以及

第一栅极绝缘层，设置在所述半导体层与所述第一导电层之间，并且包括与所述第一区域和所述第二区域重叠的第一绝缘层、以及不与所述第一区域重叠而与所述第二区域重叠的第二绝缘层，

其中，所述第一绝缘层具有比所述第二绝缘层的介电常数大的介电常数，并且

其中，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上。

8.根据权利要求7所述的显示装置，

其中，所述第一栅极绝缘层的与所述第一区域重叠的一部分的等效氧化物厚度小于所述第一栅极绝缘层的与所述第二区域重叠的一部分的等效氧化物厚度。

9.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括：

在基底上形成包括第一区域和第二区域的半导体层；

顺序地形成所述半导体层上的第一绝缘层、所述第一绝缘层上的第二绝缘层、以及所述第二绝缘层上的第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上形成与所述第一区域重叠的光刻胶层；

使用所述光刻胶层作为蚀刻停止层蚀刻所述第三绝缘层的与所述第二区域重叠的一部分；以及

移除所述光刻胶层，并且随后在所述第三绝缘层上形成与所述第一区域重叠的第一栅极图案并且在所述第二绝缘层上形成与所述第二区域重叠的第二栅极图案，

其中，所述第二绝缘层的介电常数大于所述第一绝缘层的介电常数和所述第三绝缘层的介电常数。

10.根据权利要求9所述的方法，

其中，所述第三绝缘层的所述蚀刻包括使用氟基化合物和O₂等离子体的干法蚀刻，并且

其中，所述第三绝缘层与所述第二绝缘层之间的蚀刻选择比等于或大于1.5。