[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间设置的有源层；

透明导电层，所述透明导电层位于所述电流阻挡层上及/或所述第二半导体层上；

绝缘层，形成在所述透明导电层上，所述绝缘层具有一系列开口；

第一电极，包括形成于所述绝缘层之上，并与所述第一半导体层形成电连接；

第二电极，形成于所述绝缘层之上，并与所述第二半导体层形成电连接，所述第二电极包括第二焊盘部和第二扩展部；

电流阻挡层，设置在所述半导体叠层上，并位于所述第二扩展部之下；

其中，所述电流阻挡层包括第一部分和与所述第一部分相邻的第二部分，所述第一部分与所述绝缘层开口在所述半导体叠层的投影方向上具有重叠的面积，所述第一部分与所述第二扩展部的距离为T1，所述第二部分与所述第二扩展部的距离为T2，所述T1大于T2。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述T1与T2的差值为0.5~15μm。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一部分与所述第二扩展部的距离为6~18μm，所述第二部分与所述第二扩展部的距离为3~10μm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层开口包括第一开口以露出所述透明导电层的部分表面，所述电流阻挡层的第一部分与所述第一开口在所述半导体叠层上的投影方向上具有重叠的面积，在平行于所述第二扩展部的延伸方向上，所述第二扩展部通过所述第一开口与所述透明导电层接触的距离介于5~30μm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在平行于所述第二扩展部的延伸方向上，所述第一部分的宽度为5~30μm，所述第二部分的宽度大于15μm。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述透明导电层具有第二开口以露出所述第二半导体层的部分表面，所述绝缘层具有第三开口以露出所述第二半导体层的部分表面，所述第二开口和所述第三开口在所述半导体叠层上的投影具有重叠面积，所述第二焊盘部通过所述第二开口和所述第三开口与所述半导体层接触。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层第三开口与所述透明导电层的第二开口之间的最小距离小于3μm。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体叠层包括贯穿所述第二半导体层和所述有源层形成的台面以及一个或多个通孔以通过其暴露所述第一半导体层的部分表面，所述第一电极包括第一焊盘部和第一扩展部，所述第一焊盘部位于所述台面上，所述第一扩展部位于所述绝缘层上，所述第一扩展部自所述第一焊盘部向所述第二焊盘部延伸。

9.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层覆盖所述半导体叠层通孔侧壁，所述绝缘层具有第五开口以露出所述第一半导体层的部分表面，所述第一扩展部的末端通过所述第五开口内与所述第一半导体层接触，在平行于所述第一扩展部的延伸方向上，所述第一扩展部的末端与所述绝缘层的第五开口的距离小于10μm。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在平行于所述第二扩展部的延伸方向上，所述第二扩展部的末端与所述电流阻挡层的距离为0~20μm。