[发明专利]发光二极管

说明书

本申请公开的发光二极管包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间设置的有源层；绝缘层，形成在所述透明导电层上，所述绝缘层具有一系列开口；第二电极，形成于所述绝缘层之上，并与所述第二半导体层形成电连接，所述第二电极包括第二焊盘部和第二扩展部；电流阻挡层，设置在所述半导体叠层上，并位于所述第二扩展部之下；其中，所述电流阻挡层包括第一部分和与所述第一部分相邻的第二部分，所述第一部分与所述绝缘层开口在所述半导体叠层的投影方向上具有重叠的面积，所述第一部分与所述第二扩展部的距离为T1，所述第二部分与所述第二扩展部的距离为T2，所述T1大于T2。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED发光二极管具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。

在氮化镓LED中，p-GaN由于其载流子迁移率较低，通常会在P型电极下方造成一定的电流拥堵。因此，通常会在P型电极的下方增加电流阻挡层，用于抑制电流的过注入，增加透明导电层的电流扩散。该芯片制作工艺通常至少包括台面蚀刻(MESA)、制作电流阻挡层、制作透明导电层（例如ITO）、制作绝缘层和制作电极五道工艺。

发明内容

本发明提出了一种发光二极管，可以改善发光二极管的电流扩散的均匀性以及可靠性。

具体地，本发明实施例提出的一种发光二极管，包括：一种发光二极管，包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间设置的有源层；透明导电层，所述透明导电层位于所述电流阻挡层上及/或所述第二半导体层上；绝缘层，形成在所述透明导电层上，所述绝缘层具有一系列开口；第一电极，包括形成于所述绝缘层之上，并与所述第一半导体层形成电连接；第二电极，形成于所述绝缘层之上，并与所述第二半导体层形成电连接，所述第二电极包括第二焊盘部和第二扩展部；电流阻挡层，设置在所述半导体叠层上，并位于所述第二扩展部之下；其中，所述电流阻挡层包括第一部分和与所述第一部分相邻的第二部分，所述第一部分与所述绝缘层开口在所述半导体叠层的投影方向上具有重叠的面积，所述第一部分与所述第二扩展部的距离为T1，所述第二部分与所述第二扩展部的距离为T2，所述T1大于T2。

进一步地，所述T1与T2的差值为0.5~15μm。

进一步地，所述第一部分与所述第二扩展部的距离为6~18μm，所述第二部分与所述第二扩展部的距离为3~10μm。

进一步地，所述绝缘层开口包括第一开口以露出所述透明导电层的部分表面，所述电流阻挡层的第一部分与所述第一开口在所述半导体叠层上的投影方向上具有重叠的面积，在平行于所述第二扩展部的延伸方向上，所述第二扩展部通过所述第一开口与所述透明导电层接触的距离介于5~30μm。

进一步地，在平行于所述第二扩展部的延伸方向上，所述第一部分的宽度为5~30μm，所述第二部分的宽度大于15μm。

进一步地，所述透明导电层具有第二开口以露出所述第二半导体层的部分表面，所述绝缘层具有第三开口以露出所述第二半导体层的部分表面，所述第二开口和所述第三开口在所述半导体叠层上的投影具有重叠面积，所述第二焊盘部通过所述第二开口和所述第三开口与所述半导体层接触。

进一步地，所述绝缘层第三开口与所述透明导电层的第二开口之间的最小距离小于3μm。