[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一半导体基底；以及

一掺杂多晶硅接触点，设置在该半导体基底上，该掺杂多晶硅接触点包括一掺杂材料，该掺杂材料具有一掺杂浓度，该掺杂浓度等于或超过10¹⁵atom/cm³。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该掺杂材料包括一掺杂元素，具有一原子量，该原子量从28到130。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该掺杂材料包括一第一掺杂元素以及一第二掺杂元素，该第二掺杂元素不同于该第一掺杂元素，该第一掺杂元素与该第二掺杂元素每一个具有一原子量，该原子量从28到130。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该掺杂材料包括锗、磷、砷、锑或其任何组合。

5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一介电结构，设置在该半导体基底上，其中该掺杂多晶硅接触点填满在该介电结构的一沟槽中。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该介电结构包括一氮化物层，其接触该掺杂多晶硅接触点。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其中该掺杂多晶硅接触点的一深宽比等于或超过2。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体基底包括一有源区，而该掺杂多晶硅接触点直接接触该半导体基底的该有源区。

9.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一电子元件，设置在该掺杂多晶硅接触点上且电性连接到该掺杂多晶硅接触点。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该电子元件包括一电容器。

11.一种半导体结构，包括：

一半导体基底；以及

一电性接触点，电性连接到该半导体基底；

其中该电性接触点包括一导电元素以及一掺杂材料，该掺杂材料具有一掺杂浓度，该掺杂浓度等于或超过10¹⁵atom/cm³，该掺杂材料包括一第一掺杂元素，而该导电元素的一原子量与该第一掺杂元素的一原子量之间的一差距小于100。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其中该导电元素的一原子量与该第一掺杂元素的一原子量之间的一差距小于50。

13.如权利要求11所述的半导体结构，其中该掺杂材料还包括一第二掺杂元素，而该导电元素的该原子量与该第二掺杂元素的一原子量之间的一差距小于100。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其中该导电元素的该原子量与该第二掺杂元素的一原子量之间的一差距小于50。

15.如权利要求11所述的半导体结构，还包括一介电结构，设置在该半导体基底上，其中该电性接触点填满在该介电结构的一沟槽中。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其中该电性接触点的一深宽比等于或超过2。

17.如权利要求15所述的半导体结构，其中该半导体基底包括一有源区以及一绝缘结构，该绝缘结构邻近该有源区，而该电性接触点穿过该介电结构的该沟槽并接触该半导体基底的该有源区以及该绝缘结构。

18.如权利要求11所述的半导体结构，其中该电性接触点包括掺杂多晶硅。

19.如权利要求11所述的半导体结构，其中该掺杂材料包括锗、磷、砷、锑或其任何组合。