[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

半导体基板；

晶体管区域，其设置于所述半导体基板，所述晶体管区域包含晶体管；以及

电容调整区域，其设置于所述半导体基板，

所述电容调整区域包含：

第1导电型的第1半导体层，其是作为所述半导体基板的上表面的表层而设置的；

第2导电型的第2半导体层，其作为所述半导体基板的所述表层而选择性地设置于所述第1半导体层的上表面侧；以及

多个控制沟槽栅极，它们各自包含控制沟槽绝缘膜和控制沟槽电极，所述控制沟槽绝缘膜形成于从所述半导体基板的所述上表面将所述第2半导体层贯通且在所述第1半导体层内具有前端的沟槽的内壁，所述控制沟槽电极隔着所述控制沟槽绝缘膜而形成于所述沟槽的内部，

所述第2半导体层与所述多个控制沟槽栅极的侧面接触，

所述第1半导体层、所述第2半导体层与所述晶体管的发射极电极电连接，

所述多个控制沟槽栅极中的至少1个控制沟槽栅极的所述控制沟槽电极与所述晶体管的栅极电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述晶体管区域包含：

第2导电型的漂移层，其设置于所述半导体基板的所述上表面与下表面之间；

第1导电型的基极层，其设置于所述漂移层的上方；

第1导电型的源极层，其在所述基极层的上方作为所述半导体基板的所述上表面的所述表层而选择性地设置；

多个沟槽栅极，它们各自包含栅极沟槽绝缘膜和栅极沟槽电极，所述栅极沟槽绝缘膜形成于从所述半导体基板的所述上表面将所述源极层和所述基极层贯通且在所述漂移层的内部具有前端的沟槽的内壁，所述栅极沟槽电极在所述沟槽的内部隔着所述栅极沟槽绝缘膜作为所述栅极电极而形成；以及

所述发射极电极，其与所述源极层电连接且与所述栅极沟槽电极绝缘，

所述多个沟槽栅极中的至少1个沟槽栅极的所述栅极沟槽电极与所述至少1个控制沟槽栅极的所述控制沟槽电极电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述多个控制沟槽栅极的间距比所述多个沟槽栅极的间距窄。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

所述控制沟槽绝缘膜比所述栅极沟槽绝缘膜薄。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述多个控制沟槽栅极的从所述半导体基板的所述上表面算起的深度比所述多个沟槽栅极的从所述半导体基板的所述上表面算起的深度深。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

还具有：

信号焊盘，其用于对所述半导体基板的状态进行检测或控制；以及

栅极配线，其将所述电容调整区域的所述控制沟槽电极与所述晶体管区域的所述栅极电极电连接，

所述发射极电极从所述晶体管区域延伸至所述电容调整区域且在俯视观察时配置于所述信号焊盘与所述栅极配线之间，

所述多个控制沟槽栅极穿过所述信号焊盘的正下方而沿所述半导体基板的所述上表面的一个方向延伸，

所述多个控制沟槽栅极各自的端部被所述栅极配线覆盖，

所述控制沟槽电极仅在所述至少1个控制沟槽栅极的所述端部处与所述栅极配线电连接，

所述第1半导体层仅在所述信号焊盘与所述栅极配线之间的区域与所述发射极电极电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述多个控制沟槽栅极包含不与所述栅极配线连接的控制沟槽栅极，

不与所述栅极配线连接的所述控制沟槽栅极的控制沟槽电极在所述信号焊盘与所述栅极配线之间的区域与所述发射极电极电连接。