[发明专利]新型集成电路失效分析检测方法

权利要求书

1.新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：对集成电路开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查；

S2：开封显微镜检查；

S3：对集成电路进行电性分析；

S301：利用Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性，它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域，由于在硅片上产生缺陷的部位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射；

S302：利用OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术，对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试金属布线内部的那些可靠性隐患；

S303:根据饰电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部位的电路范围，最后利用微探针显微技术，来定位缺陷器件；

S4：在检测时，制备第一层薄膜；

S5：将集成电路组件放置于所述第一层薄膜上，在集成电路组件及第一层薄膜上形成第二层薄膜，以得到经封膜的集成电路组件；

S6：对该电路组件进行垂直切片，以判断分层位置。

2.根据权利要求1所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述S1中，外观检查主要凭借肉眼检查是否有明显缺陷，如塑脂封装是否开裂，芯片引脚是否接触良好。

3.根据权利要求1所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述S1中，X射线检查，就是利用X射线的透视性能对被测样品进行X射线照射，样品缺陷部份会吸收X射线，导致X射线照射成像出现异常，X射线主要检查集成电路引线是否损坏问题，根据电子元器件的大小和结构选择合适的波长，这样能得到合适的分辨率。

4.根据权利要求1所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述S1中，扫描声学显微镜探测，就是利用超声波探测样品内部缺陷，依据超声波的反射找出样品内部缺陷所在位置，这种方法主要用主集成电路塑封时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者脱层。

5.根据权利要求1所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述第一层薄膜和第二层薄膜由树脂与固化剂组成。

6.根据权利要求5所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述树脂包括丙烯酸树脂或环氧树脂，所述树脂与所述固化剂的重量配比为1：1至5：1。

7.根据权利要求6所述的新型集成电路失效分析检测方法，其特征在于：所述固化剂是胺类固化剂。