[发明专利]新型集成电路失效分析检测方法

说明书

本发明涉及集成电路检测技术领域，且公开了新型集成电路失效分析检测方法，包括以下步骤：S1：对集成电路开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查；S2：开封显微镜检查；S3：对集成电路进行电性分析；S301：利用Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性，它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域，由于在硅片上产生缺陷的部位，通常会发生不断增长的电子‑‑空穴再结全而产生强烈的光子辐射；通过针对印刷电路板的不同分层处检测出分层原因，以方便后续贴装过程的改善复合板负压装置。

技术领域

本发明涉及集成电路检测技术领域，具体为新型集成电路失效分析检测 方法。

背景技术

在对集成电路组件进行失效分析的试验中，首先需要对集成电路组件进 行封膜处理。传统的封膜过程会使用定位夹或双面胶固定集成电路组件，然 后将胶体倒入含有经固定的集成电路组件的模具/容器中，静置一定的时间以 对胶体进行固化，最后对经固化后的包含集成电路组件的胶柱实施研磨，以 对集成电路组件的具体部位进行测试。由于使用定位夹容易导致固定部位线 弧受损，且集成电路组件与双面胶的结合面较小，粘合不牢，倾倒溶剂过程 中容易因流体冲击而引起集成电路组件倾倒的问题。

因此，现有的集成电路失效分析检测方法需进一步改进。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了新型集成电路失效分析检测方法。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：新型集成电路失效分析检 测方法，包括以下步骤：

S1：对集成电路开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查；

S2：开封显微镜检查；

S3：对集成电路进行电性分析；

S301：利用Emission显微镜技术，具有非破坏性和快速精准的特性，它 使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域，由于在硅片上产生缺陷的部 位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射；

S302：利用OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术， 对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试 金属布线内部的那些可靠性隐患；

S303:根据饰电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部 位的电路范围，最后利用微探针显微技术，来定位缺陷器件；

S4：在检测时，制备第一层薄膜；

S5：将集成电路组件放置于所述第一层薄膜上，在集成电路组件及第一 层薄膜上形成第二层薄膜，以得到经封膜的集成电路组件；

S6：对该电路组件进行垂直切片，以判断分层位置。

优选的，所述S1中，外观检查主要凭借肉眼检查是否有明显缺陷，如塑 脂封装是否开裂，芯片引脚是否接触良好。

优选的，所述S1中，X射线检查，就是利用X射线的透视性能对被测样 品进行X射线照射，样品缺陷部份会吸收X射线，导致X射线照射成像出现 异常，X射线主要检查集成电路引线是否损坏问题，根据电子元器件的大小和 结构选择合适的波长，这样能得到合适的分辨率。

优选的，所述S1中，扫描声学显微镜探测，就是利用超声波探测样品内 部缺陷，依据超声波的反射找出样品内部缺陷所在位置，这种方法主要用主 集成电路塑封时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者脱层。

优选的，所述第一层薄膜和第二层薄膜由树脂与固化剂组成。